技术前沿｜一文解读氧化镓外延技术
氧化镓（Ga₂O₃）作为新兴的第四代半导体材料，因其超宽的禁带宽度（~4.9eV）、高击穿场强（8MV/cm）和优异的Baliga品质因数（约为SiC的10倍、GaN的4倍），在高压功率器件、深紫外光电器件及极端环境电子设备中展现出巨大潜力。与第三代半导体碳化
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Na-flux法提高了GaN器件的性能
丰田合成展示了与市售衬底相比，一项增强GaN衬底的技术如何在功率调节能力和良率上提高器件性能。研究成果发表在Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters上。