深圳市斯纳达科技取得IGBT测试座专利，使IGBT新导电体耐电压更高，过电流能力更强
国家知识产权局信息显示，深圳市斯纳达科技有限公司取得一项名为“IGBT测试座”的专利，授权公告号CN 222561648 U，申请日期为2024年4月。
导电体
PRL: 魏苏淮教授与合作团队揭示从金属到本征透明导电体的设计新思路
近日，宁波东方理工大学（暂名）理学部物理学院院长、讲席教授魏苏淮联合深圳大学助理教授张鹏，通过调控电子化合物能带的对称性及其波函数的空间分布，提出了一种在金属材料中实现特定波段光学透明性的新策略。这种策略为设计非掺杂的本征透明导电体提供了一种新的思路。该成果于