国联民生证券:原厂减产推动NAND存储迎拐点 下半年或价格提升
全球存储芯片行业市场规模呈现周期性波动,通常4年为一循环。2023年全球存储芯片市场规模在周期底部,受益供应原厂减产及AI需求增加,2024年开始同比大幅回升,相比以往存储周期,此轮周期复苏更快。根据CFM,2025年NAND芯片行业或处于价跌量增时期,随着A
全球存储芯片行业市场规模呈现周期性波动,通常4年为一循环。2023年全球存储芯片市场规模在周期底部,受益供应原厂减产及AI需求增加,2024年开始同比大幅回升,相比以往存储周期,此轮周期复苏更快。根据CFM,2025年NAND芯片行业或处于价跌量增时期,随着A
既然不能无限缩小工艺,那如何来提高性能呢,厂商们采用的是3D 堆叠技术,也就是有了32层3D NAND闪存,64层、96层,128层,196层,232层……,堆叠的层数越多,技术越先进,速度越快,存储密度越高。
在数字化时代,存储技术是推动科技发展的关键力量之一,而NAND Flash作为主流的闪存技术,广泛应用于智能手机、笔记本电脑、企业级存储设备等多个领域。然而,根据TrendForce的最新研究报告,2025年NAND内存行业将面临需求疲软和供应过剩的双重困境,