中国半导体新突破：通富微电子投产HBM2内存，国产AI加速在即
中国半导体行业近期传来振奋人心的消息，继DDR4和DDR5内存以及NAND闪存取得显著成就后，业界正集中力量向HBM高带宽内存发起挑战，这一技术对于AI人工智能和HPC高性能计算至关重要。据悉，国内企业在这一领域已经迈出了重要一步。
中国半导体行业近期传来振奋人心的消息，继DDR4和DDR5内存以及NAND闪存取得显著成就后，业界正集中力量向HBM高带宽内存发起挑战，这一技术对于AI人工智能和HPC高性能计算至关重要。据悉，国内企业在这一领域已经迈出了重要一步。