长江存储申请用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法专利,提供一种用于形成三维存储器器件的方法
国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利,公开号CN120050935A,申请日期为2021年12月。
国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利,公开号CN120050935A,申请日期为2021年12月。
国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器器件及其制造方法”的专利,公开号CN 119364768 A,申请日期为2020年7月。