SK海力士和铠侠合作申请专利
该专利名称为“选择器、半导体器件及其制造方法(专利号CN119866175A)”,提出了一种采用碳层的新型选择器结构。
该专利名称为“选择器、半导体器件及其制造方法(专利号CN119866175A)”,提出了一种采用碳层的新型选择器结构。
SK海力士将消费级DRAM芯片和裸片价格上调了12%。
SK海力士预计今年第一季度营业利润将突破7万亿韩元,创历史新高。SK海力士计划大幅扩大设施投资,以满足其第五代高带宽存储器(HBM)HBM3E的爆发式需求,并计划在年底前开始第六代HBM4产品的量产。
SK海力士今年将进行重大投资,计划投资超过20万亿韩元(约合137亿美元),用于扩建专注于高带宽存储器(HBM)生产的工厂。这标志着该公司的历史性里程碑,此前其投资额从未超过20万亿韩元。SK海力士在2024年业绩报告电话会议上强调了今年将比上一年增加投资规模
近期正式完成了对于英特尔NAND业务部门收购的SK海力士正着手重组其在中国大连的工厂及相关资产。然而,SK海力士大约3年前开始计划建设的第二座NAND晶圆厂仍因投资保守而处于搁置状态,这也被外界解读为是受到了近两年来NAND行业不确定性的阻碍。
据Counterpoint Research统计,今年第一季度,SK海力士占据了DRAM市场的36%,三星电子以34%的份额紧随其后,美光以25%的份额位居第三。
根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告,SK海力士首次超越三星电子,以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。
近期,内存市场的竞争格局迎来了重大变动。根据Counterpoint Research最新发布的2025年第一季度内存追踪报告显示,SK海力士成功超越了长期领先的三星电子,以36%的市场份额成为了全球DRAM营收的新霸主。
根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告,SK海力士首次超越三星电子,以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。
高级分析师Jeongku Choi表示:“这对SK 海力士来说是一个里程碑,该公司成功将 DRAM 产品推向了对HBM内存需求持续旺盛的市场。专用 HBM DRAM 芯片的制造一直以来都极其棘手,那些在早期就抓住机会的企业已经获得了丰厚的回报。”
SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韩国京畿道利川市的 M10F 工厂的产线改造,该厂从此前负责一般 DRAM 产品的后端处理调整为封装高附加值、高需求的 HBM 内存。
韩国交易所当天表示,将把43家韩国国内股市上市公司指定为卖空过热项目。SK海力士、KAKAO等14家有价证券市场韩国综合指数上市公司和Techwing、Nature Cell等29家高斯达克上市公司的卖空交易将在一天内被禁止。
“2025年3月27日,交易第二阶段完成,”Intel向美国证券交易委员会提交的一份文件中写道。“Intel在第二次交易完成时收到的对价约为19亿美元,扣除了某些调整。”
SK海力士已完成对英特尔NAND闪存部门的全面收购,结束了长达四年的收购过程。这些资产将被整合到SK海力士的美国子公司Solidigm旗下,以提升企业级固态硬盘(SSD)的研发合作。
SK海力士全球业务与营销部长Lee Sang-rak 27日在公司年度股东大会上表示,这种提前拉货(pull-in)效应,加上客户库存减少,是近期市况良好的主因。不过,他说,这个趋势能否延续仍待观察。
SK海力士去年凭借HBM业务的进步取得了破纪录的业绩,财务负担也在减轻。
SK海力士相关人士解释道,“正如当时宣布的那样,收购日期是一个预计日期,可能会根据两家公司交易的进展情况而改变,由于该日期已过,因此我们再次宣布了预计日期”。
韩国半导体巨头SK海力士3月19日宣布,已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。12层HBM4产品拥有人工智能存储器所需的超快速度、以及基于12层标准的最高容量,行业
1983年,以现代电子产业有限公司成立,1996年在韩国上市,1999年收购LG半导体。2001年从现代集团分离,更名为海力士。2011年,SK集团完成对海力士的收购,公司更名为SK海力士。
三星电子12日公布的业务报告显示,公司去年对华出口额同比增加53.9%,为64.9275万亿韩元(约合人民币3241亿元),超过对美出口额(61.3533万亿韩元)。据悉,公司对华出口额中,芯片销售占绝大部分。