突发！美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免”
当地时间6月20日，据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称，负责美国商务部工业和安全局（BIS）的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 （Jeffrey Kessler） 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商，美国计划取消允许它们在中国
sk海力士
SK海力士，展示DRAM重点路线
ZDNet 报道显示，继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后，SK 海力士在京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会（6 月 8 日至 12 日）上公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景，重点介绍了 10nm 以下技术的计划。
SK海力士首次超越三星成为DRAM市场领导者
日前，根据多家市场研究公司对2023年第一季度DRAM市场的报告，SK海力士已超过三星电子，稳坐榜首。SK海力士凭借其高带宽存储器（HBM）优势，Ascension存储器半导体行业的宝座，标志着市场领导地位的重大转变。
SK海力士夺得全球DRAM第一宝座
早些时候，市场研究公司Counterpoint Research就报告称，2025年第一季度，SK海力士以36%的份额领先全球DRAM市场，而三星电子的份额为34%。
手机存储飞跃！SK海力士拿出321层4D闪存的UFS 4.1
SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。
SK海力士发布321层UFS 4.1闪存，能效提升7%，2026年量产
2025年5月22日，SK海力士宣布成功研发出全球首款采用321层1Tb TLC 4D NAND技术的UFS 4.1闪存产品，该产品提供512GB和1TB两种容量版本。
SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品UFS 4.1
具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机“凭借全球最高321层的产品组合，公司将在NAND闪存领域进一步巩固‘全方位面向AI的存储器供应商’的地位”
SK海力士展示HBM4，黄仁勋赞叹
由于SK海力士向英伟达提供的HBM模型安装在Blackwell，这是为了强调英伟达的合作伙伴关系。
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。
HBM爆火：SK海力士，再超三星
今年第一季度，SK Siltron 向 SK 海力士出售的硅晶圆数量超过了向三星电子出售的硅晶圆数量。这一转变归因于 SK 海力士近期在高带宽内存 (HBM) 和服务器 DRAM 方面取得的成功，使其产量增长超过了近期陷入困境的三星电子。
三星计划在HBM4采用混合键合技术，SK海力士暂时仅作为备用手段
三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储（YMTC）的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。除了NAND闪存芯片引入混合键合技术，三星还打算扩展到DRAM芯片。
SK海力士和铠侠合作申请专利
该专利名称为“选择器、半导体器件及其制造方法（专利号CN119866175A）”，提出了一种采用碳层的新型选择器结构。
Sk海力士涨价12%
SK海力士将消费级DRAM芯片和裸片价格上调了12%。
净利润暴增140%，SK海力士创历史新高
SK海力士预计今年第一季度营业利润将突破7万亿韩元，创历史新高。SK海力士计划大幅扩大设施投资，以满足其第五代高带宽存储器（HBM）HBM3E的爆发式需求，并计划在年底前开始第六代HBM4产品的量产。
AI芯天下丨SK海力士计划今年投资超20万亿韩元，扩建HBM生产工厂
SK海力士今年将进行重大投资，计划投资超过20万亿韩元（约合137亿美元），用于扩建专注于高带宽存储器（HBM）生产的工厂。这标志着该公司的历史性里程碑，此前其投资额从未超过20万亿韩元。SK海力士在2024年业绩报告电话会议上强调了今年将比上一年增加投资规模
SK海力士大连二厂被搁置
近期正式完成了对于英特尔NAND业务部门收购的SK海力士正着手重组其在中国大连的工厂及相关资产。然而，SK海力士大约3年前开始计划建设的第二座NAND晶圆厂仍因投资保守而处于搁置状态，这也被外界解读为是受到了近两年来NAND行业不确定性的阻碍。
SK海力士成为DRAM市场全球第一
据Counterpoint Research统计，今年第一季度，SK海力士占据了DRAM市场的36%，三星电子以34%的份额紧随其后，美光以25%的份额位居第三。
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度营收第一
根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。
SK海力士登顶DRAM季度营收冠军，HBM市占率超七成！
近期，内存市场的竞争格局迎来了重大变动。根据Counterpoint Research最新发布的2025年第一季度内存追踪报告显示，SK海力士成功超越了长期领先的三星电子，以36%的市场份额成为了全球DRAM营收的新霸主。
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度营收第一：HBM市占率高达70%
根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。