摘要：2025年5月22日，SK海力士宣布成功研发出全球首款采用321层1Tb TLC 4D NAND技术的UFS 4.1闪存产品，该产品提供512GB和1TB两种容量版本。

2025年5月22日，SK海力士宣布成功研发出全球首款采用321层1Tb TLC 4D NAND技术的UFS 4.1闪存产品，该产品提供512GB和1TB两种容量版本。

与上一代基于238层NAND闪存的产品相比，SK海力士此次推出的321层NAND闪存实现了重大技术飞跃。

具体而言，其厚度从1mm降低至0.85mm，降幅达到了15%，在有限的空间内为终端设备（比如智能手机）提供了更大的设计灵活性。同时，产品能效提升7%，意味着在使用过程中将消耗更少的电能，延长设备的续航时间，对于注重能效的移动设备和数据中心来说，具有显著的优势。

在数据传输和读写性能方面，该闪存也表现出色。其数据传输速率高达4300MB/s，随机读取和写入速度分别提升了15%与40%（具体数据暂未公布），处于全球领先水平。

SK海力士强调，这款321层NAND闪存“专为端侧AI进行优化”。所谓“端侧AI”，是指直接在各种终端设备（如智能手机、智能家居设备、传感器等）本地运行人工智能模型的技术，无需依赖云端服务器处理数据，大大提高了数据处理的速度和隐私性。

以人们熟悉的智能手机为例，人脸解锁、语音助手（如Siri本地识别）、拍照场景优化（如夜景模式）等功能都属于端侧AI的范畴。这些功能主要依靠本地AI硬件算力和模型来完成，不需要调用远程服务。

而SK海力士推出的这款高性能闪存，为终端设备实现更复杂、更智能的AI功能提供了强大的存储支持，有助于推动智能设备向更高阶的智能化方向发展。

SK海力士透露了详细的产品推进计划。该公司计划于年内向客户交付样品，进入验证流程，确保产品质量和性能符合市场需求。同时，将于明年第一季度正式进入量产阶段，满足市场对高性能闪存的迫切需求。

此外，SK海力士今年内还将完成基于全球最高321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘产品的开发工作。这一举措将拓展该技术在不同领域的应用，从消费电子到数据中心，为整个存储市场注入新的活力。

来源：宗熙先生