我国的半导体生产能力以及未来可能的场景
In order for the United States to do the right things for the long term, it appears to be helpful for us to have the prospect of h
flash存储器
仲联半导体申请定性表征2D NAND FLASH存储器耐久性的方法与相关装置专利，大大减少了实际表征耐久性的耗时
国家知识产权局信息显示，仲联半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种定性表征2D NAND FLASH存储器耐久性的方法与相关装置”的专利，公开号CN 119028403 A，申请日期为2024年8月。
闪存突破300层！
SK海力士表示，从2023年6月量产当前最高的上一代238层堆叠NAND Flash闪存，并供应于市场之后，现在又率先推出了超过300层堆栈的NAND Flash 存储器，突破了技术界限。SK海力士计划从2025年上半年起，开始向客户提供321层堆栈的产品，以