半导体专题| 选择性外延生长的历史回顾:从1962年至今
选择性外延生长(SEG)是当今关键的前端工艺(FEOL)技术之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特尔在2003年的90纳米节点平面CMOS中首次引入了SEG技术,用于pMOS源/漏(S/D)应力器。它结合了抬升源/漏技术、凹槽刻蚀源/漏结形成技术以及硅
选择性外延生长(SEG)是当今关键的前端工艺(FEOL)技术之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特尔在2003年的90纳米节点平面CMOS中首次引入了SEG技术,用于pMOS源/漏(S/D)应力器。它结合了抬升源/漏技术、凹槽刻蚀源/漏结形成技术以及硅
这距离巴菲特2月22日发布2025股东信一个月时间还不到,彼时巴菲特在信中称,五家商社已同意放宽10%的持股上限,未来可能继续增持,并计划长期持有数十年。
近日,中国石化旗下的中石化炼化工程(SEG)发布了2024年度业绩,收入641.98亿元(人民币,下同),同比增长13.9%;新签订单合同量为1006亿元,首破千亿大关,创历史新高,同比增长25.4%;
北京时间2月24日,荷兰播客节目《SEG Stories》发布了滕哈格专访的预告片,其中,他谈到了自己的未来、对曼联的看法等问题,完整专访将于明天发布。