深圳市斯纳达科技取得IGBT测试座专利,使IGBT新导电体耐电压更高,过电流能力更强 国家知识产权局信息显示,深圳市斯纳达科技有限公司取得一项名为“IGBT测试座”的专利,授权公告号CN 222561648 U,申请日期为2024年4月。 igbt 导电体 过电流 深圳市斯纳 斯纳 2025-03-10 09:51 2