中国存储芯片逆袭战:从捡漏到硬刚三星,长鑫们要动真格了!
DRAM内存、NAND闪存、HBM这些关键领域,人家直接攥着九成以上的份额。中国企业虽然这几年跑得挺快,但说实话,技术、产能这块还是差着火候。不过,咱中国人搞产业的路子向来实在——先从低端市场啃起,再一步步往高处爬。
DRAM内存、NAND闪存、HBM这些关键领域,人家直接攥着九成以上的份额。中国企业虽然这几年跑得挺快,但说实话,技术、产能这块还是差着火候。不过,咱中国人搞产业的路子向来实在——先从低端市场啃起,再一步步往高处爬。
随着全球三大存储芯片厂商相继减产、退出NOR Flash、DDR3、DDR4市场,利基型存储市场竞争格局得到优化,非头部企业竞争压力明显缓解。国内兆易创新等存储厂商有机会抢占上述厂商减产、退出所空出的市场份额。
据TrendForce最新内存现货价格趋势报告,全球三大DRAM供应商宣布即将停产DDR3和DDR4 DRAM,引发了现货市场的快速反应,买家纷纷提前囤积相关内存产品。
依据TrendForce发布的内存现货价格趋势报告,全球三大DRAM供应商宣布即将停产DDR3与DDR4 DRAM,这一决策迅速在现货市场激起波澜,买家为避免供应短缺风险,纷纷提前囤积相关内存产品。
信达证券发布研报称,国内厂商在加速推进大模型应用。2025年初,各NANDFlash原厂均采取更为坚决的减产措施,缩减全年投产规模,期待有效降低供应位元增长率,此举有助于快速减轻市场供需失衡的压力,为价格反弹铺定基础。由于原厂逐步退出DDR3/DDR4竞争,关