提高双向HEMT的阻断电压
这类器件具有双向电流和双向阻断能力,有望成为许多新型功率转换器(包括矩阵转换器、多电平T型逆变器、电流源逆变器和固态断路器)的候选器件,可提高可再生能源基础设施的效率。
这类器件具有双向电流和双向阻断能力,有望成为许多新型功率转换器(包括矩阵转换器、多电平T型逆变器、电流源逆变器和固态断路器)的候选器件,可提高可再生能源基础设施的效率。
近日,《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章,其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校,透露了单片双向GaN晶体管的最新研究进展。
本文对2024年底的在售GaN HEMT器件的各类指标进行分析,同时结合过去几年对GaN HEMT产品的指标进行对比,跟踪近年来的GaN HEMT的技术指标进展、价格变化及主要企业的产品情况。
基于此,复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段,氮化镓(GaN)凭借高电子迁移率和开关速度的优势,在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力。
近期,知名市场调研机构Yole发布了《2024年氮化镓市场报告》,“Power GaN 2024” 报告深入分析了氮化镓(GaN)功率器件的市场和技术趋势。 报告预测了GaN功率器件在消费电子、通信基础设施、汽车和工业等领域的应用前景,并对2029年的市场规模