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双向GaN突破3000V!

近日,《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章,其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校,透露了单片双向GaN晶体管的最新研究进展。

au ni hemt 蓝宝石衬底 3000v 2025-04-08 16:55  6

Yole Power GaN 2024 报告解读

近期,知名市场调研机构Yole发布了《2024年氮化镓市场报告》,“Power GaN 2024” 报告深入分析了氮化镓(GaN)功率器件的市场和技术趋势。 报告预测了GaN功率器件在消费电子、通信基础设施、汽车和工业等领域的应用前景,并对2029年的市场规模

onsemi 英飞凌 yole yolepower hemt 2025-03-12 08:53  10