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半导体参数提取，革命性解决方案

在半导体技术飞速发展的今天，器件模型日益复杂，紧凑模型参数提取已成为业界面临的重大挑战。传统优化算法受困于梯度变化不明确，极易陷入局部最优，但最终提取结果差强人意的困局。此外，现代半导体模型中存在大量相互关联的参数，这使得传统方法效率更加低下，建模工程师往往需

美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）宣称，首次在射频（RF）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）上集成了后处理金刚石 [Rohith Soman et al, Appl. Phys. Express, v18, p046503, 2025

紫外光电探测器作为紫外光信号感知与转换的核心元件，在航空航天、防灾减灾及生态监控等领域具有战略意义。氮化镓（GaN）材料凭借其3.4 eV的宽禁带特性和直接带隙结构，是制备高性能紫外探测器的理想选择之一。然而，受限于材料本征缺陷及常规器件结构设计，现有的GaN

近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公司，在学术期刊IEEE Electron Device Letters发表了一篇名为Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardn

半导体产业网获悉：近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公司，在学术期刊IEEE Electron Device Letters发表了一篇名为Experimental Study of Heavy Ion Irradiat

本文由帕多瓦大学的G. Meneghesso教授和E. Zanoni教授等人合作撰写。本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与Si

据日本富士通株式会社（Fujitsu Ltd）报告，基于自支撑GaN衬底的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在工业、科学和医疗（ISM，2.4-2.5GHz）保留频段2.45GHz下工作时，实现了85.2%的功率附加效率（PAE）和89.0%的漏极效率（DE

这类器件具有双向电流和双向阻断能力，有望成为许多新型功率转换器（包括矩阵转换器、多电平T型逆变器、电流源逆变器和固态断路器）的候选器件，可提高可再生能源基础设施的效率。

近日，《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章，其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校，透露了单片双向GaN晶体管的最新研究进展。

本文对2024年底的在售GaN HEMT器件的各类指标进行分析，同时结合过去几年对GaN HEMT产品的指标进行对比，跟踪近年来的GaN HEMT的技术指标进展、价格变化及主要企业的产品情况。

基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力。

近期，知名市场调研机构Yole发布了《2024年氮化镓市场报告》，“Power GaN 2024” 报告深入分析了氮化镓(GaN)功率器件的市场和技术趋势。报告预测了GaN功率器件在消费电子、通信基础设施、汽车和工业等领域的应用前景，并对2029年的市场规模