华为正在测试国产EUV 芯片制造机,绕开ASML,双电极技术成本降低 当全球聚焦ASML新一代High-NA EUV光刻机时,华为与中芯国际联合研发的LDP(激光诱导放电等离子体)技术已突破实验室验证阶段,其双旋转电极结构将高压放电效率提升至4.2%的工程化水平。 asml 电极 国产euv 芯片制造机 euv芯片 2025-03-13 14:51 3