euv芯片

华为正在测试国产EUV 芯片制造机，绕开ASML，双电极技术成本降低

当全球聚焦ASML新一代High-NA EUV光刻机时，华为与中芯国际联合研发的LDP（激光诱导放电等离子体）技术已突破实验室验证阶段，其双旋转电极结构将高压放电效率提升至4.2%的工程化水平。