半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点，一般使用化学机械抛 光工艺来加工 SiC 以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶 SiC 化学机械抛光的重要过程，直接影 响着 CMP 的速率和表面质量。本文综述了目前单晶 SiC 湿法氧

碳化硅 湿法 碳化硅衬底 2024-11-21 21:30  2