中国芯片,又一个新技术的重大突破!
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过去几年,随着碳化硅(SiC)器件在电动汽车和光伏等领域的广泛应用,市场需求迎来爆发式增长。在此背景下,全球6英寸碳化硅衬底/外延生产能力快速扩张。 然而,由于前期过度投资,碳化硅材料开始出现供过于求的现象,且下游电动汽车率先进入竞争性降价,国产碳化硅相关的产
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛 光工艺来加工 SiC 以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶 SiC 化学机械抛光的重要过程,直接影 响着 CMP 的速率和表面质量。本文综述了目前单晶 SiC 湿法氧