2031年中国市场电驱动系统IGBT模块市场规模将达到281.1亿元
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT 和MOSFET 组成的复合功率半导体器件,既有MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJ
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT 和MOSFET 组成的复合功率半导体器件,既有MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJ
国家知识产权局信息显示,上海维安半导体有限公司申请一项名为“一种折中正向和反向特性的RC-IGBT器件及其制备方法”的专利,公开号CN119855178A,申请日期为2025年3月。
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