3~4英寸Fe掺高阻β-Ga₂O₃单晶的制备及其性能研究
β-Ga2O3作为超宽禁带半导体材料，因优异的耐高压性能（理论击穿场强达8 MV/cm）和低成本制备潜力，在高压功率电子器件领域备受关注。然而，β-Ga2O3高熔点（约1800 ℃）、各向异性强、易解理等特性使得大尺寸高质量单晶生长难度极大。导模法（EFG）虽
人工晶体学报
垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征——大尺寸、低成本
近年来，第四代超宽禁带半导体材料氧化镓（β-Ga2O3）因禁带宽度达4.9 eV、击穿场强超8 MV/cm等特性，在高压功率器件、深紫外探测领域展现巨大应用潜力。然而，传统导模法（EFG）单晶生长技术因依赖贵金属铱坩埚而导致成本高昂，成为氧化镓产业化的主要瓶颈