垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征——大尺寸、低成本 近年来，第四代超宽禁带半导体材料氧化镓（β-Ga2O3）因禁带宽度达4.9 eV、击穿场强超8 MV/cm等特性，在高压功率器件、深紫外探测领域展现巨大应用潜力。然而，传统导模法（EFG）单晶生长技术因依赖贵金属铱坩埚而导致成本高昂，成为氧化镓产业化的主要瓶颈 氧化镓 单晶 布里奇曼 氧化镓单晶 人工晶体学报 2025-03-14 09:02 3