产业观察:成熟存储芯片涨价趋势略缓
近来,成熟制程DRAM内存芯片价格上涨明显。由于主流DRAM制造商转向生产新一代DDR5和LPDDR5X产品,并将于2025年底前大幅削减DDR4和LPDDR4的产量,这导致近期成熟制程DRAM价格上涨明显。DDR4和LPDDR4被视为成熟制程产品。不过根据T
近来,成熟制程DRAM内存芯片价格上涨明显。由于主流DRAM制造商转向生产新一代DDR5和LPDDR5X产品,并将于2025年底前大幅削减DDR4和LPDDR4的产量,这导致近期成熟制程DRAM价格上涨明显。DDR4和LPDDR4被视为成熟制程产品。不过根据T
国家知识产权局信息显示,深圳超盈智能科技有限公司申请一项名为“一种存储芯片的数据丢失检测方法及系统”的专利,公开号CN120216406A,申请日期为2025年05月。
存储芯片是一种专门用来存储数据的半导体器件,是现代电子设备中不可或缺的一部分。按断电后数据是否丢失可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片如动态随机存取存储器(DRAM),断电后数据会丢失,主要用于临时存储数据;非易失性存储芯片如NAND Fla
存储芯片是一种专门用来存储数据的半导体器件,是现代电子设备中不可或缺的一部分。按断电后数据是否丢失可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片如动态随机存取存储器(DRAM),断电后数据会丢失,主要用于临时存储数据;非易失性存储芯片如NAND Fla
2025 年,美光宣布停产 DDR4,这一事件在存储芯片行业激起千层浪,为国内存储芯片产业格局演变带来新变量。从国产厂商产能布局、产品矩阵到行业竞争生态,均将因这一市场变动开启新的发展篇章。
在当今科技高速发展的形势下,存储芯片作为现代信息技术的核心组件,其市场前景日益宽广。无论是人工智能领域对大容量、高速存储芯片的迫切需求,还是物联网设备迅猛增长所产生的海量数据存储需要,亦或是消费电子、汽车电子等传统领域的不断升级,都使存储芯片面临着前所未有的发
北京君正主营业务:以嵌入式处理器芯片为核心,通过收购 ISSI 切入存储芯片领域,产品涵盖 DRAM、SRAM 等,广泛应用于汽车电子、工业控制等场景。存储芯片领域亮点:成功打入三星、LG 的智能家居供应链;车规级 DRAM 支持 - 40℃~125℃宽温工作
划片机(Dicing Saw)在半导体制造中主要用于将晶圆切割成单个芯片(Die),这一过程在内存储存卡(如NAND闪存芯片、SSD、SD卡等)的生产中至关重要。以下是划片机在存储芯片制造中的关键应用和技术细节:
2025年5月,一场超出预期的存储芯片涨价潮席卷全球。三星、美光、闪迪、SK海力士等国际巨头,以及长江存储(致态)等国内领军企业,纷纷宣布上调产品价格,涨幅普遍在5%-20%之间。这一轮集中调价,比业界普遍预测的6-7月窗口期提前了至少一个月,引发市场对存储行
技术突破叠加产能释放,中国存储芯片亮出“杀手锏”——价格战。行业数据显示,国产NAND闪存价格较三星同类产品低23%,DRAM价格低20%。若计入政府补贴,实际价差更大。
韩国是三星、SK海力士,美国是美光,这三大企业,不管是在NAND闪存领域,还是在DRAM内存领域,都是处于垄断地位,拿下了85%以上的市场份额。
【5 月 13 日,东芯股份举行 2024 年度暨 2025 年第一季度业绩说明会】自 2024 年第四季度起,三星等五大 NAND 原厂减产,2025 年一季度供应趋紧推动存储芯片价涨。 东芯股份董事长蒋学明称,国内厂商正通过差异化策略在利基型存储市场突围,
近期,国内存储芯片上市公司密集披露2025年第一季度财报。从整体数据来看,由于存储芯片价格仍处于低点,多数企业面临盈利增长压力,净利润为正且实现同比增长的企业占比不高。但在国际三大原厂产能向更高性能存储芯片倾斜的趋势下,利基型存储产品率先出现回暖迹象,多家企业
一场颠覆全球存储芯片市场的风暴,正从东方呼啸而来!中国存储芯片厂商携雷霆之势,以极具冲击力的价格策略,在国际舞台上掀起惊涛骇浪,将全球存储芯片价格战推向白热化阶段!日经中文网披露,中国正以强有力的补贴政策为武器,全力推动本土半导体存储器产业崛起,直接改写了全球
近期,国内存储芯片上市公司密集披露2025年第一季度财报。从整体数据来看,由于存储芯片价格仍处于低点,多数企业面临盈利增长压力,净利润为正且实现同比增长的企业占比不高。但在国际三大原厂产能向更高性能存储芯片倾斜的趋势下,利基型存储产品率先出现回暖迹象,多家企业
在科技产业持续革新的浪潮中,存储芯片作为数据存储的核心载体,广泛嵌入于从智能手机、PC等消费电子产品,到智能汽车、数据中心乃至物联网设备等多元领域,成为支撑现代数字化社会运转的关键底层技术。自2025年初起,全球存储芯片市场风云突变,掀起了一场来势汹汹的涨价风
上海复旦大学在集成电路领域获得关键性突破!由该校周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件,擦写速度快至400皮秒,相当于每秒可执行25亿次操作,是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。
存储芯片市场正经历着价格波动与需求变动的双重影响。DRAM和NAND闪存价格的上调,预示着存储芯片行业格局的改变。而人工智能领域的新趋势,又为存储芯片市场带来了新的增长契机。各大厂商提高报价,或许正是基于对市场需求增长的预判。未来,存储芯片市场在价格与需求的相
从2D+CNN小模型到BEV+Transformer大模型,模型参数量暴增,存储成为性能瓶颈
中国半导体行业协会4月11日发布新规,明确集成电路原产地以流片地认定,海关总署据此执行四位税则号变更。券商分析称,该规则或推高美系主导芯片进口成本,加速国产替代进程,并驱动终端客户转向中国大陆代工产能。当前行业虽在部分环节实现技术突破,但仍面临设备材料“卡脖子