摘要：从2D+CNN小模型到BEV+Transformer大模型，模型参数量暴增，存储成为性能瓶颈
佐思汽研发布了《2025年汽车存储芯片产业及对大模型影响研究报告》。
从2D+CNN小模型到BEV+Transformer大模型，模型参数量暴增，存储成为性能瓶颈
全球汽车存储芯片市场规模将从2023年的43亿美元左右，到2030年增长至170亿美元以上，复合增长率高达22%，汽车存储芯片在汽车半导体中的价值占比，2023年在8.2%，预计到2030年将上升至17.4%，存储芯片成本将大幅上升。
2023-2030年全球汽车芯片市场规模预测
汽车存储芯片行业发展的主要驱动力在于车载LLM大模型快速兴起，从过去的2D+CNN小模型到BEV+Transformer大模型，模型参数量大幅提升，算力需求骤增。CNN模型参数通常不到1000万，大模型即LLM的参数一般在70亿至2000亿之间，经过蒸馏后的车端模型参数也已高达几十亿级别。
从计算角度看，BEV+Transformer大模型以LLaMA为代表的解码器架构中，Softmax算子成为核心，其并行化能力低于传统卷积（Convolution）算子，导致存储成为瓶颈，特别是存储密集型模型如GPT，对存储带宽要求高，市面上常见的自动驾驶 SoC 芯片常面临“存储墙”问题。
端到端实际上是内嵌了一个小型LLM，随着喂养数据的增加，这个大模型的参数会越来越大，最初阶段的模型大小大概是100亿参数，经过不断迭代最终会达到1000亿以上。
2025年4月15日，小鹏汽车在AI分享会上首次对外披露正在研发720亿参数的超大规模自动驾驶大模型，即“小鹏世界基座模型”。小鹏的实验结果表明，在10亿、30亿、70亿、720亿参数的模型上都看到了明显的规模法则（Scaling Law）效应：参数规模越大，模型的能力越强。同样的模型大小，训练数据量越大，模型的能力也会越强。
多模态模型训练的主要瓶颈不仅是 GPU，也需要解决数据访问的效率问题。小鹏汽车自主开发了底层的数据基础设施（Data Infra），使数据上传规模提升22倍、训练中的数据带宽提升15倍；通过联合优化 GPU / CPU 以及网络 I/O，最终使模型训练速度提升了 5 倍。目前，小鹏汽车用于训练基座模型的视频数据量高达2000万clips，这一数字今年将增加到2亿clips。
未来，小鹏将 “小鹏世界基座模型” 通过云端蒸馏小模型的方式将基模部署到车端，车端大模型参数规模只能越来越大，对计算芯片和存储都带来巨大挑战。基于此，小鹏汽车自研了图灵AI芯片，芯片比通用车规高算力芯片利用率提升20%，最高能处理30B（300亿）参数的大模型，相较之下，当前理想汽车的VLM（视觉-语言模型）参数量约为22亿。
模型参数量越大，也往往伴随着模型推理的较高延迟问题，如何解决时延问题至关重要，预计图灵AI芯片可能通过多通道设计或先进封装技术实现存储带宽的显著提升，以支持30B参数大模型的本地运行。
存储带宽决定了推理计算速度的上限，LPDDR5X将被普遍采用，但仍显不足，GDDR7、HBM或将提上规划日程
存储带宽决定了推理计算速度的上限。假设一个大模型参数为70亿，按照车载的INT8精度，它所占的存储是7GB，特斯拉第一代FSD芯片的存储带宽是63.5GB/s，即每110毫秒生成一个token，帧率不到10Hz，自动驾驶领域一般图像帧率是30Hz。英伟达的Orin存储带宽是204.5GB/s，即每34毫秒生成一个token（7GB除以204.5GB/s=0.0343s，约34ms)，勉强可以达到30Hz（帧率=1除以0.0343s=29Hz)，注意这只是计算的数据搬运所需的时间，数据计算的时间都完全忽略了，实际速度要远低于这个数据。
DRAM存储芯片选择路径（1）：LPDDR5X将被普遍采用，LPDDR6标准仍在制定中除了特斯拉，目前所有的车载芯片最高只对应LPDDR5，下一步业界将主推LPDDR5X，譬如美光已推出车规级 LPDDR5X+DLEP DRAM方案，已通过 ISO26262 ASIL-D 认证，可以满足关键的汽车FuSa要求。
英伟达Thor-X已支持车规级 LPDDR5X，内存带宽增至273GB/s，支持LPDDR5X标准，支持PCIe 5.0接口。Thor-X-Super内存带宽则达到了惊人的546GB/s，采用了512位宽的LPDDR5X内存，确保了极高的数据吞吐量，实际Super和苹果系列芯片一样，就是将两片X放进一个封装里，但短期内预计不会量产投放。
Thor也有多个版本，目前已知的有5个：①Thor-Super，2000T算力；②Thor-X，1000T 算力；③Thor-S，700T 算力；④Thor-U，500T 算力；⑤Thor-Z，300T 算力。联想全球第一个Thor中央计算单元计划采用双Thor-X。
美光9600MTPS 的LPDDR5X已经有样片，主要面向移动端，但还没车规级产品。三星的 LPDDR5X 新品K3KL9L90DM-MHCU，可用于PC、服务器、汽车以及新兴的端侧AI应用，比前代快1.25倍、功耗效率提升25%，最高工作温度105℃，2025年初量产，单片8GB，x32总线，使用8片，共64GB。
随着 LPDDR5X 逐步迈入 9600Mbps 甚至 10Gbps 时代，JEDEC 已启动下一代 LPDDR6 的标准制定。面向 6G 通信、L4 自动驾驶、沉浸式 AR/VR 场景。LPDDR6作为下一代内存技术，预计速率将突破10.7Gbps，甚至最高可能达到14.4Gbps，带宽和能效均有提升，比现在使用的LPDDR5X提升了50%。然而，大规模量产LPDDR6内存可能还需要等到2026年，高通的下一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2（代号SM8850）将支持LPDDR6。车规级LPDDR6则可能更为久远。
域控计算平台LPDDR演进（标准传输速率）
除了LPDDR5X，另一条路径则是选择GDDR6或GDDR7，特斯拉第二代FSD芯片就支持第一代GDDR6，HW4.0上的GDDR6容量为32GB，型号为MT61M512M32KPA-14，频率1750MHz（LPDDR5最低也是3200MHz之上），由于是第一代GDDR6，速度较低。即使用了GDDR6，要流畅运行百亿级别的大模型，还是无法实现，不过已经是目前最好的了。
特斯拉的第三代FSD芯片应该正在开发中，可能2025年底可以完成开发，至少支持GDDR6X。
而再下一代的GDDR7正式标准在2024年3月公布，三星在2023年7月就发布了全球首款GDDR7，目前SK 海力士和美光也都有GDRR7产品推出。GDDR需要特殊的物理层和控制器，芯片必须内置GDDR的物理层和控制器才能用上GDDR，Rambus和新思科技都有相关IP出售。
未来自动驾驶芯片可能采用混合存储架构，例如用GDDR7处理高负载AI任务，而LPDDR5X负责低功耗常规运算，以平衡性能与成本。
DRAM存储芯片选择路径（3）：HBM2E已部署到L4 级Robotaxi，但距离量产乘用车仍有较远距离，存储芯片厂商正推动HBM从数据中心向端侧技术迁移HBM主要用于服务器领域，将SDRAM用TSV工艺堆叠起来，增加的成本不仅仅是内存本身，还有台积电CoWoS工艺的成本，CoWoS目前产能紧张，价格高昂。HBM存储价格远远高于量产乘用车常用的 LPDDR5X、LPDDR5、LPDDR4X等，不具备经济性。
SK 海力士的HBM2E正用于Waymo 的L4 级Robotaxi，且是独家供应商，容量高达8GB，传输速度达到3.2Gbps，实现了惊人的410GB/s带宽，为行业树立了新标杆。
SK 海力士是目前市场上唯一一家能提供符合严苛AEC-Q车规标准的HBM芯片制造商。SK 海力士正积极与NVIDIA、Tesla等自动驾驶领域解决方案巨头的合作，将HBM的应用从AI数据中心拓展到智能汽车市场。
SK 海力士和三星都正在将HBM从数据中心向手机、汽车等端侧应用迁移，HBM在移动设备领域的渗透将围绕端侧AI性能提升和低功耗设计展开，技术创新与产业链协同是关键驱动力，成本与良率仍是短期主要挑战，主要涉及到HBM生产工艺改良。
核心差异：传统数据中心HBM是为高性能计算设计的“大带宽、高功耗”方案；而端侧HBM是为移动端定制的“中带宽、低功耗”解决方案。技术路径：传统数据中心HBM依赖TSV和中介层；而端侧HBM则通过封装创新（如垂直引线键合）和低功耗DRAM技术实现性能突破。以三星为例，采用类似技术的产品LPW DRAM（LP Wide I/O DRAM），其具备低延迟和高达128GB/s的带宽性能，同时能耗仅为1.2pJ/b，计划于2025-2026年实现商业化量产。
LPW DRAM通过堆叠LPDDR DRAM，大幅提升了I/O接口的数量，以达到提高性能和减少能耗的双重目标。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5X提升了166%；同时其功耗降至1.9pJ/bit，比LPDDR5X低54%。
UFS3.1已大规模上车，将逐渐迭代至UFS4.0、UFS5.0，同时PCIe SSD将成为L3/L4高级别自动驾驶汽车的首选
目前，高阶自动驾驶汽车已将UFS 3.1存储作为主流选择，随着车载传感器、算力的不断提升，更高规格的数据传输方案势在必行，UFS 4.0产品将成为未来主流的选择之一。UFS 3.1版本最高2.9GB/s，与SSD有几十倍的差距，下一代4.0版本4.2GB/s，UFS 4.0相较于UFS 3.1，在速度上有所提升，功耗降低30%；预计到2027年会有5.0版本，估计达到10GB/s，跟SSD还是差距明显，但好在成本可控，供应链稳定。
考虑到大模型无论在座舱还是智能驾驶都有强烈需求，且为了留出足够的性能余量，更应该采用SSD，目前主流的UFS不够快，eMMC就更慢了。车规级SSD采用的是PCIe标准，PCIe的弹性空间极大，潜力巨大。JESD312确定的是PCIe 4.0标准，实际其包含多个速率，4通道是最低的PCIe 4.0标准，16通道双工可以到64GB/s，而PCIe 5.0标准已于2019年发布了，PCIe5.0将信号速率翻倍到了32GT/s，x16双工带宽更是接近128GB/s。
目前，美光和三星都有车规级SSD，三星是AM9C1系列，128GB到1TB都有。美光则推出了4150AT系列，4150AT系列有220GB、440GB、900GB和1800GB四种，其中220GB级别用于单独的座舱或智能驾驶，舱驾一体至少要用440GB。
多端口BGA SSD可以作为汽车中央存储计算单元，通过各端口与座舱、ADAS、网关等SoC连接，高效处理并存储不同数据到所需区域。其独立性优势确保非核心SoC无法未授权访问核心数据，避免影响、识别、销毁核心SoC的数据，这将最大的保证对数据传输的阻并发性和数据独立性，并降低各个SoC对于车用存储的硬件成本。
对于再往后的L3/L4级高级别自动驾驶汽车，PCIe 5.0 x4 + NVMe 2.0 将是高性能存储的首选：
超高速传输：读取速度高达 14.5GB/s，写入速度达 13.6GB/s，是 UFS 4.0 的 3 倍低延迟 & 高并发：支持更高队列深度（QD32+），并行处理多个数据流AI 计算优化：与车载 SoC 结合，可加速 AI 推理计算，满足全自动驾驶需求在自动驾驶应用中，PCIe NVMe SSD 可用于缓存 AI 计算数据，减少内存访问压力，提高实时处理能力。例如，Tesla FSD 系统就采用高速 NVMe 方案存储自动驾驶训练数据，以提高感知和决策效率。
目前，新思科技（Synopsys）已推出了全球首款汽车级PCIe 5.0 IP解决方案，囊括了PCIe控制器、安全模块、物理层设备（PHY）以及验证IP，并遵循ISO 26262和ISO/SAE 21434标准。这意味着PCIe 5.0将很快进入车规应用。
《2025年汽车存储芯片产业及对大模型影响研究报告》目录
页数：580页
01
汽车存储芯片行业概述
1.1 汽车存储芯片分类
存储设备的三大类别
存储芯片（半导体存储）分类
汽车存储芯片分类
汽车存储芯片需求特性（1）
汽车存储芯片需求特性（2）
汽车存储芯片需求特性（3）
不同类型存储芯片在汽车中的应用（1）
不同类型存储芯片在汽车中的应用（2）
1.2 全球存储芯片总体市场及汽车存储发展前景
全球存储芯片市场规模
全球存储芯片市场格局（1）
全球存储芯片市场格局（2）
全球存储芯片市场变化：AI 对存储容量和性能的双重驱动（1）
全球存储芯片市场变化：AI 对存储容量和性能的双重驱动（2）
全球存储芯片市场变化：DRAM各细分市场应用规模
全球存储芯片市场变化：DRAM向更高带宽和更大容量演进
全球存储芯片市场变化：HBM市场规模大幅扩张
全球存储芯片市场变化：HBM技术规格持续升级
全球存储芯片市场变化：NAND
汽车存储芯片应用趋势：主要细分应用领域增量空间巨大
汽车存储芯片应用趋势：2030年车用存储芯片产值预测
汽车存储芯片应用趋势：各类车型的DRAM、NAND存储容量将翻倍增长
02
汽车存储芯片各应用场景下的发展趋势
2.1 自动驾驶演进趋势下的存储需求
中国本土乘用车自动驾驶（分等级）装配率预测，2024-2030E
汽车的进步导致了存储条件的变化（1）
汽车的进步导致了存储条件的变化（2）
AI赋能汽车领域，提高智能驾驶的存储需求
自动驾驶系统发展趋势：系统延迟演进趋势和芯片应用
自动驾驶系统发展趋势：基于英伟达Thor的存储芯片设计（1）
自动驾驶系统发展趋势：基于英伟达Thor的存储芯片设计（2）
自动驾驶系统发展趋势：基于英伟达Thor的存储芯片设计（3）
自动驾驶系统发展趋势：高阶自动驾驶对车载存储芯片带宽和容量的需求（1）
自动驾驶系统发展趋势：高阶自动驾驶对车载存储芯片带宽和容量的需求（2）
自动驾驶系统发展趋势：高阶自动驾驶对车载存储芯片带宽和容量的需求（3）
自动驾驶系统对NAND存储的需求
自动驾驶系统进一步引入先进NAND存储技术
自动驾驶算法发展趋势（1）
自动驾驶算法发展趋势（5）
大模型时代的车载计算平台思考（1）
大模型时代的车载计算平台思考（2）
大模型时代的车载计算平台思考（6）
大模型时代的对车载存储的挑战：计算芯片不应过度强调算力，而强调存储带宽
车载大模型计算分析：DRAM存储带宽远比算力重要（1）
车载大模型计算分析：DRAM存储带宽远比算力重要（2）
车载大模型计算分析：DRAM存储带宽远比算力重要（7）
车载大模型计算分析：DRAM存储带宽，时间每token的计算关系解析（1）
车载大模型计算分析：DRAM存储带宽，时间每token的计算关系解析（2）：计算步骤
车载大模型计算分析：DRAM存储带宽，时间每token的计算关系解析（3）：计算步骤
车载大模型计算分析：DRAM存储带宽，时间每token的计算关系解析（4）：计算步骤
车载大模型计算分析：DRAM存储带宽，时间每token的计算关系解析（5）：计算步骤
已量产部署的自动驾驶SoC：中国本土乘用车自动驾驶SoC平台搭载量，2022-2024年
已量产部署的自动驾驶SoC：性能参数及支持的DRAM存储带宽（1）
已量产部署的自动驾驶SoC：性能参数及支持的DRAM存储带宽（2）
L2.5高速NOA计算平台和存储芯片拆解一
L2.5高速NOA计算平台和存储芯片拆解二（1）
L2.5高速NOA计算平台和存储芯片拆解二（2）
L2.5高速NOA计算平台和存储芯片拆解二（3）
L2.5高速NOA计算平台和存储芯片拆解三（1）
L2.5高速NOA计算平台和存储芯片拆解三（2）
L2.5高速NOA计算平台和存储芯片拆解三（3）
L2.9城区NOA计算平台和存储芯片拆解四
L2.9城区NOA计算平台和存储芯片拆解五
L2.9城区NOA计算平台和存储芯片拆解六（1）
L2.9城区NOA计算平台和存储芯片拆解六（2）
L2.9城区NOA计算平台和存储芯片拆解六（3）
2.2 座舱端侧AI部署上车趋势下的存储需求
端侧AI部署上车：系统框架
端侧AI部署上车：AI 在汽车智能化的应用展望
端侧AI部署上车：AI上车须具备的平台能力
OEM主机厂端侧AI部署加速一
OEM主机厂端侧AI部署加速二（1）
OEM主机厂端侧AI部署加速二（2）
OEM主机厂端侧AI部署加速三
OEM主机厂端侧AI部署加速四（1）
OEM主机厂端侧AI部署加速四（2）
OEM主机厂端侧AI部署加速四（3）
OEM主机厂端侧AI部署加速五（1）
OEM主机厂端侧AI部署加速五（2）
OEM主机厂端侧AI部署加速五（3）
座舱端侧AI部署上车（1）
座舱端侧AI部署上车（2）
座舱端侧AI部署上车（3）
座舱AI部署上车（1）
座舱AI部署上车（2）
已量产部署的座舱SoC：中国本土乘用车座舱SoC平台搭载量，2022-2024年
已量产部署的座舱SoC：性能参数及支持的DRAM存储带宽（1）
已量产部署的座舱SoC：性能参数及支持的DRAM存储带宽（2）
已量产部署的座舱SoC：性能参数及支持的DRAM存储带宽（3）
已量产部署的座舱SoC：性能参数及支持的DRAM存储带宽（4）
座舱DRAM应用案例（1）
座舱DRAM应用案例（2）
座舱DRAM应用案例（3）
座舱DRAM应用案例（4）
座舱DRAM应用案例（5）
2.3 E/E架构演进下的中央超算存储需求
E/E架构部署现状，及未来五年趋势预测
E/E架构部署现状，及未来五年趋势预测（附表）
E/E演进趋势下的三个发展阶段：Multi board、One board、One Chip（1）
E/E演进趋势下的三个发展阶段：Multi board、One board、One Chip（2）
多域DCU——典型的Multi board方案
中央计算CCU——典型的One board方案（1）
中央计算CCU——典型的One board方案（2）
中央计算CCU——典型的One chip方案（1）
中央计算CCU——典型的One chip方案（2）
中央计算CCU——中央+区域架构的发展方向（1）
中央计算CCU——中央+区域架构的发展方向（2）
中央计算CCU——中央+区域架构的发展方向（6）
中央集中式EEA趋势下，2025年NAND存储需求将达到TB级别
2.4 汽车数据记录合规趋势下的存储需求
汽车数据记录器（EDR）相关政策及标准
汽车数据记录器（EDR）系统设计
汽车数据记录器（EDR）产生GB级存储需求
汽车数据记录器（EDR）核心存储需求
汽车数据记录器（EDR）新型存储器
2.5 车载存储应用趋势总结
智能汽车各子模块的存储需求
车内数据来源
车用高性能NAND存储技术在智能座舱与自动驾驶中的应用与挑战
车用高性能NAND存储技术变革方向
车用高性能NAND存储产品在车载市场的应用
车用高性能存储的需求分析（1）
车用高性能存储的需求分析（2）
车用高性能存储的需求分析（3）
车用高性能存储的需求分析（4）
车用高性能存储合作模式展望（1）
车用高性能存储合作模式展望（2）
OEM主机厂汽车存储的应用现状和趋势（1）
OEM主机厂汽车存储的应用现状和趋势（2）
OEM主机厂汽车存储的应用现状和趋势（8）
03
汽车存储芯片生产、测试、认证和国产化进展
3.1 汽车存储芯片厂商分类
汽车存储芯片产业链
汽车存储芯片产业链市场格局
汽车存储芯片制造工艺流程
汽车存储芯片封装测试工艺流程
3.2 汽车存储芯片制造与封装测试
芯片封装技术演进趋势（1）
芯片封装技术演进趋势（2）
芯片封装技术演进趋势（3）
全球范围内的主要的先进封装平台
全球先进封装企业技术部署
全球委外封测（OSAT）排名TOP10
汽车芯片封装工艺（1）
汽车芯片封装工艺（2）
汽车存储芯片先进封装厂商
汽车存储芯片常见封装技术（1）
汽车存储芯片常见封装技术（2）
汽车存储芯片常见封装技术（6）
汽车采用系统级封装（SiP）的优势
系统级封装（SiP）的主要技术与实现方式
系统级封装（SiP）在新能源汽车上的应用特性
汽车芯片封装工艺：Chiplet 具备灵活性和IP复用率
汽车存储芯片制造与封装工艺汇总（1）
汽车存储芯片制造与封装工艺汇总（2）
汽车存储芯片制造与封装工艺汇总（8）
3.3 汽车存储芯片原片厂商产能布局
汽车存储芯片原片厂商经营模式
原片大厂DRAM产品和技术动向（1）
原片大厂DRAM产品和技术动向（2）
原片大厂DRAM产品和技术动向（3）
汽车存储芯片原片厂商制造工艺和封装形式对比（1）
汽车存储芯片原片厂商制造工艺和封装形式对比（2）
汽车存储芯片原片厂商产能布局（1）
汽车存储芯片原片厂商产能布局（2）
汽车存储芯片原片厂商产能布局（3）
汽车存储芯片原片厂商产能布局（4）
3.4 汽车存储芯片认证标准体系
车载存储芯片供应链准入和认证流程
车载存储芯片车规标准及认证规范（1）
车载存储芯片车规标准及认证规范（2）
车规级芯片需满足的汽车供应链标准体系规范
车规级芯片认证标准体系：AEC-Q100车用可靠性测试项目（1）
车规级芯片认证标准体系：AEC-Q100车用可靠性测试项目（2）
车规级芯片认证标准体系：ISO 26262 功能安全等级认证（1）
车规级芯片认证标准体系：ISO 26262 功能安全等级认证（2）
车规级芯片认证标准体系：ISO 26262 功能安全等级认证（3）
车规级芯片认证标准体系：ISO 26262 功能安全等级认证（4）
ISO 26262功能安全标准对嵌入式闪存的安全要求（1）
ISO 26262功能安全标准对嵌入式闪存的安全要求（2）
ISO 26262功能安全标准对嵌入式闪存的安全要求：嵌入式闪存与片外闪存比较
车规芯片认证体系：IATF 16949质量管理系统认证体系（1）
车规芯片认证体系：IATF 16949质量管理系统认证体系（2）
车规芯片认证体系：IATF 16949质量管理系统认证体系（3）
车规芯片认证体系：ASPICE汽车软件开发体系标准（1）
车规芯片认证体系：ASPICE汽车软件开发体系标准（2）
汽车存储芯片的认证汇总（1）
汽车存储芯片的认证汇总（2）
3.5 汽车存储芯片国产化水平和进展
国产存储芯片厂商竞争现状
国产存储芯片厂商的四种类型
30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（1）
30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（2）
30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（5）
国产存储芯片厂商营收、毛利和业务总结（1）
国产存储芯片厂商营收、毛利和业务总结（6）
国产厂商车规级DRAM产品（DDR）
海外厂商车规级DRAM产品（LPDDR）
国产厂商车规级DRAM产品（LPDDR）
海外厂商车规级DRAM产品（GDDR）
海外厂商车规级DRAM产品（HBM）
国产厂商车规级eMMC产品（1）
国产厂商车规级eMMC产品（2）
海外厂商车规级eMMC产品
国产厂商车规级UFS产品
国产厂商车规级NAND FLASH产品
海外厂商车规级UFS产品
国内外厂商车规级SSD产品
04
汽车存储芯片各细分产品技术趋势分析
4.1 车规DRAM应用趋势：LPDDR5X
下一阶段车规DRAM重点推广LPDDR5X
LPDDR5X 典型应用的 SoC 平台案例
下一代LPDDR6
4.2 车规DRAM应用趋势：GDDR6/GDDR7
GDDR6能耗和成本太高，难以成为主机厂的优选方案
JEDEC固态技术协会 GDDR7标准
GDDR7案例（1）
GDDR7案例（2）
GDDR7 可能成为主机厂下一代计算平台的主流选择
4.3 车规DRAM应用趋势：HBM高带宽内存
HBM高带宽内存（1）
HBM高带宽内存（2）
HBM，生产工艺和成本
HBM，DRAM和GPU封装，面向AI应用
HBM主要应用于高性能AI计算服务器
HBM在Transformer AI模型中起到的作用
全球主要AI芯片使用HBM情况
全球HBM生产厂商竞争格局
HBM性能演进和发展历程
HBM技术迭代（1）
HBM技术迭代（2）
HBM技术迭代（3）
HBM技术迭代（4）
HBM发展新趋势一（1）
HBM发展新趋势一（2）
HBM发展新趋势二（1）
HBM发展新趋势二（2）
HBM汽车应用探讨一
HBM汽车应用探讨二
HBM汽车应用探讨三
HBM汽车应用探讨四
4.4 车规闪存应用趋势：UFS3.1/UFS4.0
车规级UFS 4.0
UFS 4.0案例
UFS 4.1案例
4.5 车规闪存应用趋势：PCIe总线固态硬盘（SSD）
PCIe用途
PCIe标准规范
PCIe体系架构
高带宽、低延时PCIe总线是未来车用存储的重要方向
在PCIe之上的CXL存储技术将在汽车行业推广
汽车E/E架构的演进将带来PCIe SSD存储需求
面向中央计算机的多端口BGA PCIe SSD方案
PCIe SSD部署上车（1）
PCIe SSD部署上车（2）
PCIe SSD部署上车一
PCIe SSD部署上车二
PCIe SSD部署上车三
4.6 车用存储趋势：存算一体
汽车存储市场发展趋势：内存墙（1）
汽车存储市场发展趋势：内存墙（2）
“存算一体”技术概念图
广义存算一体的技术方案
PIM（存内处理）是下一阶段发展热点
真正的存算一体：CIM（存内计算）
CIM（存内计算）主要面临存储介质的技术路径选择
国内存算一体芯片企业和技术路径选择
“存算一体”对于自动驾驶的意义（1）
“存算一体”对于自动驾驶的意义（2）
“存算一体”对于自动驾驶的意义（3）
“存算一体” SoC芯片（1）
“存算一体” SoC芯片（2）
“存算一体”存储方案
05
汽车存储芯片原片厂商研究
5.1 长鑫存储CXMT
长鑫存储业务情况和产能布局
长鑫存储DRAM技术路线图
长鑫存储车规级LPDDR4X DRAM存储芯片
长鑫存储车规级LPDDR5 DRAM存储芯片
长鑫存储DDR4 DRAM存储芯片
长鑫存储 DRAM 模组
长鑫存储 G4 DDR5解析及内外对比
5.2 长江存储YMTC
长江存储业务情况和产能布局
长江存储3D NAND技术
长江存储：232层QLC 3D NAND
长江存储3D NAND技术迭代
长江存储推出基于晶栈®Xtacking®架构4.0的存储产品（1）
长江存储推出基于晶栈®Xtacking®架构4.0的存储产品（2）
长江存储推出基于晶栈®Xtacking®架构4.0的存储产品（3）
长江存储车规级NAND闪存
长江存储UFS 3.1
长江存储在汽车电子领域的布局
长江存储子公司：长江万润半导体公司
长江万润半导体eMMC产品
长江万润半导体自建封装厂
长江万润半导体车规级SSD固态硬盘
长江万润半导体工业 / 车规级 SSD
长江万润半导体车规级 eMMC 5.1
长江万润半导体车规级 LPDDR4X
长江存储子公司：武汉新芯集成电路股份有限公司
5.3 三星电子Samsung
2024年三星电子经营情况
2024年三星电子存储业务经营情况
三星电子对汽车存储芯片的产能布局
三星电子 DRAM 和 NAND 的路线图
三星电子车载存储产品线
三星电子eUFS演进规划
三星电子量产车载UFS 3.1存储器解决方案
三星电子PCIe SSD固态硬盘演进规划
三星电子 PCIe 5.0 SSD固态硬盘产品组合
三星电子PCIe 5.0 SSD
三星电子车载固态硬盘——AutoSSD
三星电子GDDR显存芯片演进规划
三星电子推出24Gb GDDR7 DRAM面向下一代AI计算
三星电子LPDDR内存芯片演进规划
三星电子16GB LPDDR5X+1TB UFS 3.1 多芯片封裝技术
三星电子车规级 LPDDR5X
三星电子DDR内存芯片演进规划
三星电子正在研发DDR6 DRAM，采用 MSAP 封装技术
三星电子HBM内存芯片演进规划
三星电子内存计算芯片HBM-PIM架构
三星电子与芯驰科技达成战略合作
三星电子与意法半导体推出嵌入式相变存储器技术
三星电子从V10开始使用中国NAND制造商长江存储的专利技术
5.4 海力士SK hynix
2024年海力士经营情况（1）
2024年海力士经营情况（2）
海力士对汽车存储芯片的产能布局
海力士车载存储产品线
海力士存储芯片技术（1）
海力士存储芯片技术（2）
海力士LPDDR内存芯片演进规划
海力士车载LPDDR5
海力士HBM内存芯片演进规划
海力士推出HBM3E
海力士车规级eMMC 5.1
海力士UFS内存芯片演进规划
海力士UFS3.1存储芯片
海力士GDDR显存芯片演进规划
海力士AiM（Accelerator-in-Memory）架构
海力士GDDR7显存
海力士全球首款12层HBM4已送样，下半年量产
海力士车载存储芯片应用场景
5.5 美光Micron
2025Q1财季美光存储业务经营情况
美光对汽车存储芯片的产能布局
美光 NAND 和 SSD 产品线
美光 G9 NAND 技术
美光 QLC NAND 技术
美光4150AT 车规级 SSD
美光LPDDR内存芯片演进规划
美光车规级内存 LPDDR5X
美光车规级存储 UFS 3.1
美光车规级存储 e.MMC 5.1
美光车规级 NOR 闪存产品
美光车载存储芯片应用场景
美光交付第六代DDR5样品（1γ DRAM 节点）
5.6 铠侠（东芝）KIOXIA
铠侠2024年成功上市
2024财年铠侠存储业务经营情况
铠侠对汽车存储芯片的产能布局
铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术（1）
铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术（2）
铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术（3）
铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术（4）
铠侠车载存储产品
铠侠车载存储产品应用场景
铠侠车载UFS 3.1 / 2.1 & e-MMC
铠侠 UFS 4.0 车规级存储（1）
铠侠 UFS 4.0 车规级存储（2）
5.7 西部数据公司
2025年第二财季西部数据经营情况
西部数据车载存储产品线（1）
西部数据车载存储产品线（2）
西部数据车载存储产品线（3）
西部数据UFS内存芯片演进规划
西部数据UFS 3.1
西部数据UFS
西部数据eMMC嵌入式闪存演进规划
西部数据UFS（1）
西部数据UFS（2）
西部数据 IX SN530 工业级 SSD
5.8 慧荣科技
2024年慧荣科技经营情况
慧荣科技汽车存储解决方案
慧荣科技车规存储产品线（1）
慧荣科技车规存储产品线（2）
慧荣科技UFS内存芯片演进规划
慧荣科技PCIe SSD固态硬盘演进规划
慧荣科技车用 PCIe NVMe SSD 控制器
慧荣科技车用 SSD 控制器（1）
慧荣科技车用 SSD 控制器（2）
慧荣科技全方位的车用存储解决方案（1）
慧荣科技全方位的车用存储解决方案（2）
慧荣科技全方位的车用存储解决方案（3）
慧荣科技车规级单芯片存储解决方案
慧荣科技Ferri系列车规级存储解决方案
5.9 富士通Fujitsu
富士通更名RAMXEED，专注高性能存储器业务
2024Q3财年富士通经营情况
富士通对汽车存储芯片的产能布局
富士通打造FRAM、ReRAM、NRAM三线产品阵列
FRAM的技术优势总结
EEPROM、NOR Flash、 FRAM、NRAM、ReRAM等几种不同存储技术的参数对比
FRAM的应用领域非常广泛
FRAM在汽车电子领域的应用
富士通FRAM内存芯片演进规划
富士通车规级FRAM产品技术特性
富士通车规级FRAM应用场景（1）
富士通车规级FRAM应用场景（2）
富士通4Mbit FRAM 存储器，高容量FRAM赋能未来汽车
富士通推出新型纳米随机存储器NRAM，兼具FRAM和NOR Flash优势
新型的非挥发ReRAM（电阻式记忆体）
富士通下一代产品
富士通未来规划
5.10 Neo Semiconductor
Neo Semiconductor的3D DRAM技术（1）
Neo Semiconductor的3D DRAM技术（2）
Neo Semiconductor的3D DRAM技术（3）
Neo Semiconductor的 X-NAND（3D NAND Flash）
Neo Semiconductor的 3D X-DRAM
Neo Semiconductor的 3D X-AI（具有 AI 执行的 3D 内存）
5.11 南亚科技Nanya
南亚科技业务范围和产能布局
南亚科技车规级DDR2系列
南亚科技车规级DDR3 1Gb系列
南亚科技车规级DDR3 2Gb系列
南亚科技车规级DDR3 4Gb/8Gb系列
南亚科技车规级LPDDR2系列
南亚科技车规级LPDDR4系列
南亚科技车规级LPDDR4X系列
南亚科技车规级MCP系列
06
汽车存储芯片产品厂商研究
6.1 兆易创新GigaDevice
2024年前三季度兆易创新营收情况
兆易创新车规存储芯片产品、认证及应用情况（1）
兆易创新车规存储芯片产品、认证及应用情况（2）
兆易创新NOR Flash产品系列
兆易创新车规级SPI NOR Flash（1）
兆易创新车规级SPI NOR Flash（2）
兆易创新车规级SPI NAND Flash
兆易创新车规级Parallel NAND Flash
兆易创新DRAM DDR4 产品
6.2 北京君正Ingenic
北京君正业务情况
北京君正细分业务概览
2024年前三季度北京君正营收情况
北京君正LPDDR内存芯片演进规划
北京君正DDR内存芯片演进规划
北京君正车规级SRAM产品
北京君正eMMC产品
6.3 西安紫光国芯
西安紫光国芯业务情况
西安紫光国芯CXL内存扩展主控技术方案
西安紫光国芯嵌入式DRAM技术（SeDRAM®）技术方案
西安紫光国芯DRAM KGD解决方案
西安紫光国芯新一代DRAM KGD产品系列
西安紫光国芯车规级存储芯片解决方案
西安紫光国芯车规级超低功耗LPDDR4X内存
西安紫光国芯车规级DDR3
6.4 澜起科技Montage Technology
2024年澜起科技营收情况
澜起科技 CXL 技术生态
澜起科技车规级 DDR4 RCD 芯片（核心存储产品）
澜起科技DDR5内存接口芯片（RCD/MDB）
澜起科技DDR5内存接口芯片具备发展潜力
6.5 江波龙Longsys
江波龙业务情况
2024年江波龙营收情况
江波龙产品线
江波龙完善存储产业链布局（1）
江波龙完善存储产业链布局（2）
江波龙全面质量管理打造优质车规级存储
江波龙经营模式的变化（1）
江波龙经营模式的变化（2）
江波龙汽车存储芯片产品线
江波龙车规级SPI NAND Flash
江波龙自研中小容量的存储芯片
江波龙UFS演进规划
江波龙FORESEE 车规级UFS
江波龙eMMC演进规划
江波龙自研存储主控芯片和SLC NAND Flash芯片
江波龙 FORESEE 车载监控 SSD（PCIe 4.0/5.0）
江波龙 FORESEE 车规级 LPDDR4X（DRAM 缓存）
江波龙旗下品牌Lexar® JumpDrive® 行车记录U盘
江波龙最新产品
6.6 武汉新芯
武汉新芯业务情况
武汉新芯NOR Flash代工业务
武汉新芯NOR Flash产品
武汉新芯车规级SPI NOR Flash
6.7 聚辰半导体Giantec Semiconductor
聚辰半导体业务情况
2024年聚辰半导体营收情况
聚辰半导体核心技术
聚辰半导体车规级 EEPROM 产品系列
聚辰半导体车规级 SPI NOR Flash 存储芯片
聚辰半导体车规级 EEPROM 产品
聚辰半导体车规级 EEPROM 应用
聚辰半导体 SPD 产品系列
聚辰半导体 NOR Flash
6.8 普冉股份Pramor Semiconductor
普冉股份业务情况
2024年普冉股份营收情况
普冉股份车规级NOR Flash产品线
普冉股份车规级NOR Flash
普冉股份车规级EEPROM产品线
普冉股份车规级EEPROM
6.9 复旦微电Fudan Microelectronics
复旦微电业务情况
2024年复旦微电营收情况
复旦微电存储器产品线
复旦微电车规FM系列EEPROM产品线路图
复旦微电FM系列EEPROM产品（I2C车规级）
复旦微电FM系列EEPROM产品（SPI车规级）
复旦微电车用EEPROM 存储芯片FM24C512DA1通过车规认证
复旦微电车规NOR Flash产品路线
复旦微电汽车用NAND Flash产品路线
复旦微电汽车用NAND Flash
6.10 旺宏电子Macronix
旺宏电子业务情况
旺宏电子车规级NOR Flash产品线
旺宏电子车规级NOR Flash MX25L12833F与英伟达Thor适配
旺宏电子车规级NAND产品线
旺宏电子Armor Flash存储器应用于英伟达DRIVE AGX Xavier和Pegasus平台
旺宏电子车规级 e.MMC 存储芯片
6.11 佰维存储Biwin Storage
佰维存储业务情况
佰维存储汽车存储解决方案（1）
佰维存储汽车存储解决方案（2）
佰维存储车载存储产品线
佰维存储车规级LPDDR演进规划
佰维存储uMCP芯片
佰维存储车用存储 SATA C1008 SSD（1）
佰维存储车用存储 SATA C1008 SSD（2）
佰维存储车用存储 SATA C1008 SSD（3）
佰维存储车用存储 SATA C1008 SSD（4）
佰维存储车规级BS321系列4TB大容量SATA SSD（1）
佰维存储车规级BS321系列4TB大容量SATA SSD（2）
佰维存储车规级SPI NOR Flash
佰维存储车规级 UFS
佰维存储车用存储 SATA C1004 SSD
佰维存储车规级BGA SSD
佰维存储车规级PCle BGA SSD
佰维存储自研eMMC主控芯片
佰维存储核心竞争力：研发封测一体化经营模式（1）
佰维存储核心竞争力：研发封测一体化经营模式（2）
6.12 钰创科技Winbond
钰创科技车用存储产品
钰创科技车用存储解决方案
钰创科技车用存储产品：SDR SDRAM
钰创科技车用存储产品：DDR SDRAM
钰创科技车用存储产品：DDR2 SDRAM
钰创科技车用存储产品：DDR3 SDRAM
钰创科技车用存储产品：LPDDR4 SDRAM
钰创科技车用DDR3内存应用场景
6.13 闪迪公司SanDisk
闪迪公司存储产品在汽车领域的布局
闪迪公司车规级UFS
闪迪公司车规级e.MMC
闪迪公司车规级SSD
闪迪公司推出车规级UFS 4.1（1）
闪迪公司推出车规级UFS 4.1（2）
6.14 得一微电子YEESTOR
得一微电子业务情况
得一微电子工业级和车规级eMMC产品
得一微电子车规级eMMC存储芯片
得一微电子车规级eMMC存储芯片特点
得一微电子车规级嵌入式存储eMMC 5.1
得一微电子车规级CXL SSD
得一微电子下一代车规存储产品
6.15 东芯半导体Dosilicon
东芯半导体存储芯片产品
东芯半导体存储芯片产品：NAND
东芯半导体存储芯片产品：DRAM
东芯半导体存储芯片产品：NOR Flash
东芯半导体布局车规级存储
东芯半导体车规级NAND Flash
东芯半导体车规级NOR Flash
东芯半导体车规级LPDDR4X
东芯半导体核心竞争力
6.16 合肥康芯威KXW
合肥康芯威业务情况
合肥康芯威产业上下游
合肥康芯威车规存储解决方案
合肥康芯威车规级 eMMC 5.1 嵌入式存储
合肥康芯威车规级 UFS 3.1 存储
6.17 晶存科技JingCun Technology
晶存科技业务情况
晶存科技车规级存储：LPDDR4/4X
晶存科技车规级存储：eMMC 5.0/5.1
晶存科技品牌优势（1）
晶存科技品牌优势（2）
6.18 群联电子Phison
群联电子业务情况
群联电子汽车存储方案
群联电子车规级eMMC
群联电子车规级 BGA SSD（1）
群联电子车规级 BGA SSD（2）
群联电子车规级UFS（1）
群联电子车规级UFS（2）
群联电子车用存储方案
群联电子与芯驰科技达成战略合作，共同打造新一代车载平台
6.19 上海贝岭Belling
汽车EEPROM芯片
上海贝岭车规级 EEPROM 产品
6.20 亘存科技
亘存科技业务情况
亘存科技独立式MRAM
来源：佐思汽车研究
