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两人入选！祝贺！

近日，第十届中国科协“青年人才托举工程”入选名单正式公布，共有来自全国高校和科研单位的987名青年科技人才入选。我校生物与制药工程学院张阿磊、电气工程与控制科学学院祝曦两位老师成功入选。截至目前，我校入选中国科协“青年人才托举工程”资助人选共计9人。

在电磁学中，电介质的性质是研究电场和物质相互作用的一个重要方面。电介质通常指的是不导电的材料，它们能在外加电场作用下产生极化现象。电介质的极化率和介电常数是表征其电学性质的两个重要参数，它们的关系对于理解电场在不同介质中的传播和应用具有重要意义。极化率描述的是

上海交通大学机械与动力工程学院钱小石教授课题组设计并合成了一种具有极化高熵状态的无铅钙钛矿氧化物，发现了其中蕴藏的巨电卡效应，并揭示了其内在构效关系。

半导体器件变得越来越薄、越来越复杂，使得薄膜沉积更加难以测量和控制。随着 3nm 节点器件投入生产，2nm 节点加速向首次硅片投产，随着晶圆厂寻求保持尖端器件的性能和可靠性，精确薄膜测量的重要性日益凸显。

垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的特性。降低非故意意杂质浓度有利于提高迁移率，对于高残余碳(C:1017cm-3)，迁移率低至 20cm2/Vs)的，而对于更高质量的材料，则有报道称其迁移率值约为 960cm2/Vs，可与碳化硅的迁移率相媲美。漂移

1月3日、4日，清华大学材料学院沈洋教授课题组围绕“高温储能聚合物电介质”主题，先后在《自然·纳米技术》（Nature Nanotechnology）期刊和《自然·能源》（Nature Energy）期刊上发表综述和研究成果。

近日，南方科技大学材料科学与工程系汪宏讲席教授团队在储能电介质领域取得重要进展，相关研究成果以“Superior Capacitive Energy Storage Enabled by Molecularly Interpenetrating Interfa

中国科学院院士、西安交通大学教授姚熹有一个随身携带的碧绿色小茶杯。这个毫不起眼的小杯子，是当年交通大学迁校到西安时，他花几毛钱买的。小茶杯，是他扎根西安的纪念。

随着光学科学和应用的进步，对多功能光学器件的需求不断增长，这些器件需要将尽可能多的波控制功能集成到一个单一的超紧凑系统中。然而，由传统电介质制成的光学器件依赖于光的传播相位，这必然导致器件尺寸庞大（相对于波长）和/或效率低（由于缺乏磁响应）。