西安航天民芯申请用于高压PMOS的驱动电路专利，提高了驱动能力
国家知识产权局信息显示，西安航天民芯科技有限公司申请一项名为“一种用于高压PMOS的驱动电路”的专利，公开号CN 119675642 A，申请日期为2025年2月。
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MOSFET选型技巧一
MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是电子电路中常用的关键器件，尤其在开关电源、电机驱动等领域应用广泛。对于初学者会遇到不知如何识别G DS极和电路连接错误的问题。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要从电路图入手，扎实掌握 MOS 管的基础知识，这
晶扬电子申请能够替代PMOS管的开关芯片专利，能够实现替代PMOS管作为开关芯片，成本低
国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种能够替代PMOS管的开关芯片”的专利，公开号CN 118984150 A，申请日期为2024年10月。