现在在电路设计时都在省成本，能不用的元件坚决不用，基本只有一个保险做短路保护，这也是最后一道防线，如果因为电源损坏或者其他元件损坏，造成过电压，造成电路板芯片，单片机等损坏，便宜点芯片还可以，几百块的ADC芯片可烧不起。尤其在测试时，难免会出现未知的错误，我在

芯片 pmos 电路 低电平 主回路 2025-05-22 08:00  3

从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET，p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么集成电路的制造更偏向于P型硅？

芯片 cmos pmos nmos vdd 2025-05-14 02:59  5

NMOS：箭头指向沟道（由衬底指向沟道），表示电子从源极（S）流出。电流方向与电子运动相反，因此NMOS的电流从漏极（D）流向源极（S）。

pmos mos 阈值电压 nmos vgs 2025-05-06 13:44  6

选择性外延生长(SEG)是当今关键的前端工艺(FEOL)技术之一，已在CMOS器件制造中使用了20年。英特尔在2003年的90纳米节点平面CMOS中首次引入了SEG技术，用于pMOS源/漏(S/D)应力器。它结合了抬升源/漏技术、凹槽刻蚀源/漏结形成技术以及硅

半导体 cmos pmos seg nmos 2025-04-23 11:52  7

国家知识产权局信息显示，西安航天民芯科技有限公司申请一项名为“一种用于高压PMOS的驱动电路”的专利，公开号CN 119675642 A，申请日期为2025年2月。

航天 专利 pmos 电路 驱动电路 2025-03-26 19:21  10

MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是电子电路中常用的关键器件，尤其在开关电源、电机驱动等领域应用广泛。对于初学者会遇到不知如何识别G DS极和电路连接错误的问题。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要从电路图入手，扎实掌握 MOS 管的基础知识，这

pmos mosfet nmos mosfet选型 vgs 2025-03-19 20:33  8

国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种能够替代PMOS管的开关芯片”的专利，公开号CN 118984150 A，申请日期为2024年10月。

芯片 开关 pmos 2024-11-22 14:43  13