为什么芯片制造常用P型硅?
从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET,p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么集成电路的制造更偏向于P型硅?
从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET,p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么集成电路的制造更偏向于P型硅?
在AI人工智能与自动化技术的双重驱动下,机器人产业正迎来爆发式增长,机器人的应用场景日益复杂多样。与此同时,电动自行车作为人民群众出行的一环,自推出以来,其市场需求也在持续攀升。这两大领域的快速发展,对电源系统的可靠性、能效比和适应性提出了严苛要求。其中,同步
NMOS:箭头指向沟道(由衬底指向沟道),表示电子从源极(S)流出。电流方向与电子运动相反,因此NMOS的电流从漏极(D)流向源极(S)。
选择性外延生长(SEG)是当今关键的前端工艺(FEOL)技术之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特尔在2003年的90纳米节点平面CMOS中首次引入了SEG技术,用于pMOS源/漏(S/D)应力器。它结合了抬升源/漏技术、凹槽刻蚀源/漏结形成技术以及硅
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是电子电路中常用的关键器件,尤其在开关电源、电机驱动等领域应用广泛。对于初学者会遇到不知如何识别G DS极和电路连接错误的问题。掌握 MOSFET 的使用技巧,首先要从电路图入手,扎实掌握 MOS 管的基础知识,这