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华灿光电：6寸Micro-RGB性能大幅提升，Micro LED累计专利183件

华灿光电是行业内最早开展Mini/Micro技术研发的芯片企业之一。公司于2019年在行业内率先实现Mini LED芯片产品大批量生产与销售，Mini LED RGB芯片亮度持续领先，具有高对比度、高可靠性及光色一致性好等优势。2024年，在公司Mini LE

氮化铝(AlN)单晶材料因其超宽直接带隙(~6.2 eV)特性，成为高铝组分AlGaN基深紫外LED（UVC-LED）外延生长的理想衬底/缓冲层材料。然而，AlN固有的高结晶温度特性使得晶圆级单晶块体材料的制备极具挑战性。

近期，西安交通大学电子与信息学部电子科学与工程学院李强团队制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片，该研究成果以Deep-UV Light-Emitting Based on the hBN:S/hBN:Mg Homojunction为题发表在国际权威期

这类器件具有双向电流和双向阻断能力，有望成为许多新型功率转换器（包括矩阵转换器、多电平T型逆变器、电流源逆变器和固态断路器）的候选器件，可提高可再生能源基础设施的效率。

近日，《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章，其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校，透露了单片双向GaN晶体管的最新研究进展。

垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的特性。降低非故意意杂质浓度有利于提高迁移率，对于高残余碳(C:1017cm-3)，迁移率低至 20cm2/Vs)的，而对于更高质量的材料，则有报道称其迁移率值约为 960cm2/Vs，可与碳化硅的迁移率相媲美。漂移

此前，谷歌的“悬铃木”处理器在 32 个周期内实现了 67 个量子比特（SYC-67），以及在 24 个周期内实现了 70 个量子比特（SYC-70），并保持着最大规模随机量子电路的记录。