中国科学院上海微系统所:双向高导热石墨膜研究获突破,为5G芯片、功率半导体热管理提供技术支撑
近日,中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究,提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜,在膜厚度达到 40 微米的情况下实现面内热导率 Kin
近日,中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究,提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜,在膜厚度达到 40 微米的情况下实现面内热导率 Kin
近日,中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究,提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜,在膜厚度达到 40 微米的情况下实现面内热导率 Kin
随着信息时代的飞速发展,电子器件的集成化程度越来越高,愈发趋向于结构高度紧凑化和运行高效化。散热已经成为影响高功率电子器件和设备稳定运行的关键问题。特别是在航空航天、核电站、超频计算和极寒天气等极端复杂应用条件下,内部散热材料、器件和系统面临着极大的考验。高导