垂直金红石型GeO₂肖特基势垒二极管的首次亮相
京都工艺纤维大学的研究人员宣称取得了突破，他们演示了首款垂直金红石型GeO2肖特基势垒二极管（金红石型GeO2是一种四方晶体结构，其中Ge4+与六个等效的O2-原子键合，形成共用顶点和边的GeO6八面体）。
肖特基势垒
如何调控异质结？从原理到应用全景解析！
说明：异质结是由两种不同禁带宽度的半导体材料（如硅与化合物半导体）在原子级尺度上紧密接触形成的界面结构，其界面处能带结构的不连续性使其具备独特的电学和光学特性。
如何调控异质结？
说明：异质结是由两种不同禁带宽度的半导体材料（如硅与化合物半导体）在原子级尺度上紧密接触形成的界面结构，其界面处能带结构的不连续性使其具备独特的电学和光学特性。
宏微科技涨0.68%，成交额3779.69万元，后市是否有机会？
2024年8月30日互动易：公司汽车IGBT芯片长期稳定向国内多家整车厂、TIER 1大批量供货，主要应用在新能源汽车的主驱逆变器。相应的车用灌封模块均已通过AQG324等相关车规级认证，并已通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段。
宏微科技涨1.82%，成交额4926.00万元，后市是否有机会？
2024年8月30日互动易：公司汽车IGBT芯片长期稳定向国内多家整车厂、TIER 1大批量供货，主要应用在新能源汽车的主驱逆变器。相应的车用灌封模块均已通过AQG324等相关车规级认证，并已通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段。
宏微科技涨0.74%，成交额3072.55万元，后市是否有机会？
2024年8月30日互动易：公司汽车IGBT芯片长期稳定向国内多家整车厂、TIER 1大批量供货，主要应用在新能源汽车的主驱逆变器。相应的车用灌封模块均已通过AQG324等相关车规级认证，并已通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段。
低漏电Si基MIS AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管物理模型构建与研制
凭借硅衬底的低成本和优异的散热性能，硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延已经成为高功率密度电子器件的关键技术方案。然而，GaN-on-Si外延层因晶格失配和热膨胀系数差异存在高密度缺陷/位错（较蓝宝石衬底高1~2个数量级），加剧了器件的漏电流，并影响器件雪崩击
宏微科技涨1.69%，该股筹码平均交易成本为18.50元，近期筹码快速出逃，建议调仓换股
根据AI大模型测算宏微科技后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码快速出逃，建议调仓换股。舆情分析来看，2家机构预测目标均价47.93，高于当前价184.28%。目前市场情绪极