灿芯半导体申请减少ESD面积的DDR主驱动电路专利,实现节省成本的目的
国家知识产权局信息显示,灿芯半导体(成都)有限公司申请一项名为“一种减少ESD面积的DDR主驱动电路”的专利,公开号CN120071987A,申请日期为2025年04月。
国家知识产权局信息显示,灿芯半导体(成都)有限公司申请一项名为“一种减少ESD面积的DDR主驱动电路”的专利,公开号CN120071987A,申请日期为2025年04月。
国家知识产权局信息显示,东莞市灵刻微电气有限公司取得一项名为“一种D-MODE氮化镓晶体管的驱动电路”的专利,授权公告号CN222852259U,申请日期为2024年6月。
国家知识产权局信息显示,西安航天民芯科技有限公司申请一项名为“一种用于高压PMOS的驱动电路”的专利,公开号CN 119675642 A,申请日期为2025年2月。