芯片制造中的化学镀技术研究进展
芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连. 与这些技术相比, 化学镀因具有均镀保形能力强、工艺条件温和、设备成本低、操作简单等优点, 被人们期望应用于芯片制造中, 从而在近年来得到大量的研究. 本综述首先简介了芯片制
芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连. 与这些技术相比, 化学镀因具有均镀保形能力强、工艺条件温和、设备成本低、操作简单等优点, 被人们期望应用于芯片制造中, 从而在近年来得到大量的研究. 本综述首先简介了芯片制
化学镍钯金(Electroless Nickel-Palladium-Gold,简称ENIG)工艺在HTCC陶瓷化镀工艺应用处于试探性研发阶段,镍钯金凭借其优异的导电性、耐腐蚀性、良好的焊接性能,在PCB电路板、IC封装载板、陶瓷电路板、半导体晶圆等多个领域被