安徽华晟申请硅片双重吸杂方法等专利,提升硅片少子寿命 国家知识产权局信息显示,安徽华晟新材料有限公司申请一项名为“硅片双重吸杂方法、异质结电池片的制备方法”的专利,公开号CN 119742230 A,申请日期为2024年12月。 硅片 华晟 吸杂方法 安徽华晟 吸杂 2025-04-02 14:21 4