凭借硅衬底的低成本和优异的散热性能，硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延已经成为高功率密度电子器件的关键技术方案。然而，GaN-on-Si外延层因晶格失配和热膨胀系数差异存在高密度缺陷/位错（较蓝宝石衬底高1~2个数量级），加剧了器件的漏电流，并影响器件雪崩击

二极管 物理模型 mis 肖特基势垒 algan 2025-04-07 09:16  5