东莞市灵刻微取得D-MODE氮化镓晶体管驱动电路专利，解决氮化镓晶体管的开关速度问题
国家知识产权局信息显示，东莞市灵刻微电气有限公司取得一项名为“一种D-MODE氮化镓晶体管的驱动电路”的专利，授权公告号CN222852259U，申请日期为2024年6月。
氮化镓晶体管
增强型氮化镓晶体管（E-GaN FET）行业市场调研及投资前景预测
氮化镓晶体管，指基于氮化镓（GaN）材料制成的宽禁带半导体器件，按照工作原理不同，可分为耗尽型氮化镓晶体管以及增强型氮化镓晶体管两种类型。增强型氮化镓晶体管（E-GaN FET），指通过优化器件结构和电场分布实现常闭型工作模式的氮化镓晶体管，在新能源汽车、5G