EUV光刻技术面临挑战：电子模糊、随机波动与偏振效应的完美风暴 随着EUV（极紫外）光刻技术的不断发展，目标越来越小的线宽尺寸使得新的物理限制不断显现，成为了巨大的障碍。尽管长期以来，随机效应（stochastic effects）已被视为关键挑战，而电子模糊（electron blur）也逐渐得到了深入研究，偏振效应（p 光刻 偏振 euv光刻 光刻技术 偏振效应 2025-04-08 14:57 4