3000v

双向GaN突破3000V！

近日，《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章，其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校，透露了单片双向GaN晶体管的最新研究进展。