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大连理工：OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展

近日，大连理工大学集成电路学院梁红伟教授课题组在OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展，以OVPE外延方法在（010）面实现10μm以上Ga2O3厚膜，并通过分析Ga2O3外延成核机制构建了位错线形成的三维模型，解释了具有角度和指向性位错线