近日，大连理工大学集成电路学院梁红伟教授课题组在OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展，以OVPE外延方法在（010）面实现10μm以上Ga2O3厚膜，并通过分析Ga2O3外延成核机制构建了位错线形成的三维模型，解释了具有角度和指向性位错线

厚膜 ga2o3 ga2o3厚膜 ovpe外延 ovpe 2025-04-17 09:05  3