三星hbm

三星HBM 4将采用混合键合

三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露，该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术，以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下，据EBN报道，该公司的竞争对手SK海力士可能会推迟采用混合键合技术。

近期，三星电子在一场业绩发布会上揭晓了其内存技术的最新进展。据悉，该公司已成功向主要客户交付了第五代高带宽内存HBM3E的改进版本样品，并预计从第二季度开始，将逐步扩大该产品的销售规模。