晶圆减薄

半导体晶圆减薄

在半导体制造流程中,晶圆在前端工艺阶段需保持一定厚度,以确保其在流片过程中的结构稳定性,避免弯曲变形,并为芯片制造工艺提供操作便利。不同规格晶圆的原始厚度存在差异:4 英寸晶圆厚度约为 520 微米,6 英寸晶圆厚度约为 670 微米,8 英寸晶圆厚度约为 7

半导体 晶圆 减薄 晶圆减薄 半导体晶圆 2025-05-05 09:09  5