BBCube技术中的晶圆减薄与堆叠工艺
晶圆减薄与堆叠是BBCube技术中实现先进三维集成的基础工艺。这些工艺需要精确的工程控制和创新方法，以实现超薄晶圆的同时保持结构完整性和电学性能。本文探讨BBCube技术中晶圆减薄和堆叠工艺的技术细节[1]。
晶圆减薄
半导体晶圆减薄
在半导体制造流程中，晶圆在前端工艺阶段需保持一定厚度，以确保其在流片过程中的结构稳定性，避免弯曲变形，并为芯片制造工艺提供操作便利。不同规格晶圆的原始厚度存在差异：4 英寸晶圆厚度约为 520 微米，6 英寸晶圆厚度约为 670 微米，8 英寸晶圆厚度约为 7