pae纪录

GaN HEMT在2.45GHz下创下85.2%的PAE纪录

据日本富士通株式会社（Fujitsu Ltd）报告，基于自支撑GaN衬底的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在工业、科学和医疗（ISM，2.4-2.5GHz）保留频段2.45GHz下工作时，实现了85.2%的功率附加效率（PAE）和89.0%的漏极效率（DE