衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究 β-Ga2O3作为一种超宽禁带半导体材料，因优异的物理特性（如禁带宽度4.2~4.9 eV、高击穿电场强度8 MV/cm）在功率器件、日盲紫外探测等领域展现出巨大潜力。然而，高质量、大厚度、高迁移率的Ga2O3薄膜生长工艺仍面临挑战。金属有机化学气相沉积（MO 薄膜 mocvd 晶面 同质外延 mocvd同质 2025-05-07 09:18 3