近日，3D DRAM技术厂商NEO Semiconductor 宣布推出了两款全新的3D X-DRAM单元设计，包括1T1C 和3T0C，分别基于单晶体管单电容和三电晶体零电容的设计，预计将于2026年生产概念验证测试芯片，密度高达 512Gb，预计将可提供当

dram neo semiconductor dram模块 2025-05-09 08:51  3