三种对MOS管驱动电流的估算方法
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钴单原子催化剂！温州大学/广西大学，最新Nature子刊！
水系氧化还原液流电池（RFBs）因其功率与能量解耦、高安全性和可扩展性，被认为是规模化储能的重要技术。其中，基于S²⁻/Sₓ²⁻和I⁻/I₃⁻氧化还原对的硫-碘体系（SIRFBs）因活性物质高溶解度和低成本备受关注。然而，该体系多步电荷转移反应导致的缓慢动力学
深圳市金易微半导体取得一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构专利，减小整个芯片封装的体积
金融界 2025 年 3 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市金易微半导体有限公司取得一项名为“一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构”的专利，授权公告号 CN 222690682 U，申请日期为 2024 年 5 月。
第一单位！温州大学，最新Nature子刊！
水系氧化还原液流电池（RFBs）因其功率与能量解耦、高安全性和可扩展性，被认为是规模化储能的重要技术。其中，基于S²⁻/Sₓ²⁻和I⁻/I₃⁻氧化还原对的硫-碘体系（SIRFBs）因活性物质高溶解度和低成本备受关注。然而，该体系多步电荷转移反应导致的缓慢动力学
集成双MOS，65W精简高效，智融SW3537U 双口快充方案评测
珠海智融科技股份有限公司作为一家专注于电源管理芯片领域的数模混合芯片设计企业，深耕于电源管理芯片研发、设计与销售，产品广泛应用于移动电源、车载充电器、氮化镓充电器、户外储能电源及智能插排等设备。在快充技术持续升级的背景下，智融科技依托深厚的技术积累，推出了高性
【ESG动态】MOS HOUSE（01653.HK）获妙盈科技ESG评级B，行业排名第58
妙盈科技公布了新一期（2024年12月31日）的ESG评级结果，MOS HOUSE（01653.HK）获得B评级（妙盈科技评级为D起至AAA共12档，D为最低档，AAA为其最高一档评级），上一期（2024年9月30日）ESG评级为B。本期ESG评级在全球行业分
途昂 Pro 搭载了先进的 IQ.Drive 智能驾驶辅助系统
在这个科技飞速发展的时代，汽车的智能化程度已经成为衡量一款车优劣的重要标准。途昂 Pro 在智能科技方面，堪称行业典范，为驾驶者带来了前所未有的便捷与舒适 。
半导体功率器件：MOS管、IGBT与三极管的核心测试与IC测试座应用
作为电子系统的核心元件，MOS管、IGBT和三极管的测试与可靠性验证成为产业链的关键环节。本文将深入探讨这三类器件的结构、工作原理、应用场景，并重点分析其测试方法、标准及国产测试设备（如鸿怡电子IC测试座与IC老化座）的关键应用。
BASiC：国产碳化硅MOSFET乱象中的破局者与行业引领者
国产碳化硅MOSFET行业当前正处于技术追赶与市场扩张的关键期，但也暴露出技术浮躁、标准缺失、劣币驱逐良币等乱象。与此同时，功率半导体行业在技术创新、绿色能源转型和多元化应用三大趋势的驱动下，正迎来结构性机遇。在此背景下，BASiC基本股份（BASiC Sem
硬件016——从MOS到CMOS进入逻辑门世界的详细介绍
这张脑图详细展示了从MOS管（金属氧化物半导体场效应管）到CMOS（互补金属氧化物半导体）电路的演变过程，并进一步延伸到各种逻辑门电路的实现。以下是对内容的详细说明：
MOS传感器行业发展概况：2024年全球市场规模为74.19亿美元
MOS（金属氧化物半导体）传感器在暖通空调系统气体检测中的使用日益增多，这推动了MOS传感器市场的发展。在HVAC系统中，MOS传感器用于气体检测，从而降低有毒气体和可燃气体的释放风险。这些MOS传感器可监测有毒和可燃气体，并在达到报警级别之前向工作人员发出警
中科院物理所，最新Nature！
自2004年首次发现单层石墨烯以来，二维材料在凝聚态物理、材料科学等领域取得了诸多突破性进展，开启了基础研究和技术创新的二维时代。过去二十年间，二维材料家族迅速壮大，目前已有数百种材料在实验中被成功制备，理论预测的种类更是接近2000种。然而，这些材料大多仍局
功率动态分配、集成双MOS，智融SW3537U 65W双口快充方案评测
珠海智融科技股份有限公司作为一家专注于电源管理芯片领域的数模混合芯片设计企业，深耕于电源管理芯片研发、设计与销售，产品广泛应用于移动电源、车载充电器、氮化镓充电器、户外储能电源及智能插排等设备。在快充技术持续升级的背景下，智融科技依托深厚的技术积累，推出了高性
快充 智融 mos sw3537u sw3537u65w 2025-03-11 15:45 5
MOS管半桥电路
测试电路非常简单，MOS 半桥驱动使用 IR2104，MOS管使用IRLR7843，这是极低导通内阻，耐压30V的MOS管。设计单面PCB，适合一分钟制板。一分钟之后得到了测试电路板，焊接清洗之后，进行测试。
苏州联芯威申请直流无刷控制器功率管的阻抗检测方法专利，实现对上下 MOS 管的阻值测量
金融界 2025 年 1 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，苏州联芯威电子有限公司申请一项名为“直流无刷控制器功率管的阻抗检测方法”的专利，公开号 CN 119375553 A，申请日期为 2024 年 10 月。
合肥力高动力申请用于 BMS 中 MOS 开关独立诊断的专利，能够对 MOS 开关矩阵中的单个 MOS 开关状态进行监测诊断
金融界 2025 年 1 月 24 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥力高动力科技有限公司申请一项名为“一种用于 BMS 中 MOS 开关独立诊断的电路和方法”的专利，公开号 CN 119335377 A，申请日期为 2024 年 10 月。
一款功率MOS管：8326
这是一个锂电池管理电路板，上面有三颗PQFN封装的芯片，芯片型号为8326。经过查询应该是infineon的HEXFE功率MOS管。下面拆卸下来测试一下这颗功率管的特性，为之后使用积累经验。幸亏在嘉立创中有了这个器件的封装，下载到AD中，这样方便后面设计测试电
一款封装小的功率MOS 管
这是一个锂电池管理电路板，上面有三颗 PQFN封装的芯片。芯片型号为 8326 。经过查询，应该是 Infineon的 HEXFET 功率MOS管。下面拆卸下来测试一下这颗功率管的特性，为之后应用打下基础。
青岛乾程科技取得一种基于单MOS管的隔离电源系统专利，设计合理、结构紧凑且使用方便
国家知识产权局信息显示，青岛乾程科技股份有限公司取得一项名为“一种基于单MOS管的隔离电源系统”的专利，授权公告号CN 222339267 U，申请日期为2024年5月。
无锡靖芯科技申请用于high side抑制热插拔过程浪涌的结构专利，克服因MOS管本身栅源耐压较低而无法实现high side驱动的问题
国家知识产权局信息显示，无锡靖芯科技有限公司申请一项名为“一种用于high side抑制热插拔过程浪涌的结构”的专利，公开号CN 119297951 A，申请日期为2024年9月。