两种MOS组成的CMOS的如何应用在电路中
在如今的电子电路中，CMOS逻辑门有着接近零静态功耗和超高集成度的特点，是数字电路不可或缺的存在。其独特之处在于PMOS与NMOS晶体管的互补设计：当输入低电平时，PMOS导通实现电流上拉；输入高电平时，NMOS导通完成信号下拉。两种晶体管交替工作，构成无直流
mos
二维MoS₂让科技更加人性化
澳大利亚墨尔本的皇家墨尔本理工大学的工程师们发明了一种基于二维化合物半导体MoS2的微型神经形态器件，该器件能像人脑一样检测手部动作、存储记忆并处理信息。
MoS₂的硫空位工程、晶相调控、边缘设计
MoS₂纳米带通过硫空位工程、晶相调控及边缘设计优化氮还原（NRR）活性与选择性，DFT计算揭示其电子结构与反应路径的调控机制。
理想汽车SiC MOS新技术，失效率降低一个数量级
众所周知，新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高，为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常，通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试，以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。
无刷电机的驱动MOSFET
当无叶风扇送出柔风时，内部13万转无刷电机正被MOSFET精准驱动；扫地机钻进7cm缝隙，7组电机协同完成毫米级贴边清扫；电动牙刷以31,000次/分钟振动清洁齿缝，筋膜枪在50μs内响应力度调节，而高空作业无人机正用高压水刷洗摩天幕墙——这些看似平常的设备，
品牌竞争与技术演进加剧，一文速览机器人充电器常用MOS
2025年被视为人形机器人量产元年，机器人行业呈现蓬勃的发展趋势。云深处、普渡、宇树等众多知名厂商纷纷推出了各具特色的人形或类人形AI机器人，这些机器人产品在各类展会率先出场，成为一道道引人注目的靓丽风景线。
致能GaN器件助力腾达替换传统硅MOS，实现更优能效比
Tenda腾达推出一款自主设计的全千兆非网管PoE交换机套装，其支持AF/AT标准PoE供电方式，并可智能识别受电设备。此外支持单口最大30W以及整机120W输出，可为8个PoE高清网络摄像头、千兆AP等提供数据传输和供电。
七家功率器件企业入局成为ebike充电器同步整流MOS领域
在AI人工智能与自动化技术的双重驱动下，机器人产业正迎来爆发式增长，机器人的应用场景日益复杂多样。与此同时，电动自行车作为人民群众出行的一环，自推出以来，其市场需求也在持续攀升。这两大领域的快速发展，对电源系统的可靠性、能效比和适应性提出了严苛要求。其中，同步
这有一份AI PC电源适配器同步整流MOS选型指南，请您查收
在AI人工智能与自动化技术的双重驱动下，机器人产业正迎来爆发式增长，机器人的应用场景日益复杂多样。与此同时，电动自行车作为人民群众出行的一环，自推出以来，其市场需求也在持续攀升。这两大领域的快速发展，对电源系统的可靠性、能效比和适应性提出了严苛要求。其中，同步
探索人形机器人关节驱动市场下MOS的选型指南
在AI人工智能与自动化技术的双重驱动下，机器人产业正迎来爆发式增长，机器人的应用场景日益复杂多样。与此同时，电动自行车作为人民群众出行的一环，自推出以来，其市场需求也在持续攀升。这两大领域的快速发展，对电源系统的可靠性、能效比和适应性提出了严苛要求。其中，同步
二硫化钼靶材多领域应用图谱
引言：二硫化钼（MoS₂）靶材是一种重要的功能材料，因其独特的层状结构、润滑性、半导体特性和化学稳定性，广泛应用于多个高科技领域。以下是对其应用场景的详细解析：
NMOS与PMOS的区分方法及MOS管导通条件详解
NMOS：箭头指向沟道（由衬底指向沟道），表示电子从源极（S）流出。电流方向与电子运动相反，因此NMOS的电流从漏极（D）流向源极（S）。
什么是二维材料MoS₂
二维材料 MoS₂（二硫化钼）是一种典型的过渡金属硫化物，具有层状结构，每层由硫原子 - 钼原子 - 硫原子按 “三明治” 构型通过共价键结合，层间以范德华力连接，可剥离为单原子层厚度的纳米片。其单层结构呈现半导体特性，带隙约为 1.8-2.0 eV（直接带隙
Sci. Adv.: 首次在单层MoS₂体系发现电荷密度波
单层二维（2D）过渡金属硫属化合物（TMDCs）及其异质结构最近成为量子材料研究领域的焦点，其界面相互作用可导致新颖的电子关联行为，例如超导、Mott绝缘态和电荷密度波(CDW)。CDW是一种导电材料中的周期性电子态模式。CDW对材料的电子特性例如超导性和绝缘
三种对MOS管驱动电流的估算方法
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钴单原子催化剂！温州大学/广西大学，最新Nature子刊！
水系氧化还原液流电池（RFBs）因其功率与能量解耦、高安全性和可扩展性，被认为是规模化储能的重要技术。其中，基于S²⁻/Sₓ²⁻和I⁻/I₃⁻氧化还原对的硫-碘体系（SIRFBs）因活性物质高溶解度和低成本备受关注。然而，该体系多步电荷转移反应导致的缓慢动力学
深圳市金易微半导体取得一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构专利，减小整个芯片封装的体积
金融界 2025 年 3 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市金易微半导体有限公司取得一项名为“一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构”的专利，授权公告号 CN 222690682 U，申请日期为 2024 年 5 月。
第一单位！温州大学，最新Nature子刊！
水系氧化还原液流电池（RFBs）因其功率与能量解耦、高安全性和可扩展性，被认为是规模化储能的重要技术。其中，基于S²⁻/Sₓ²⁻和I⁻/I₃⁻氧化还原对的硫-碘体系（SIRFBs）因活性物质高溶解度和低成本备受关注。然而，该体系多步电荷转移反应导致的缓慢动力学
集成双MOS，65W精简高效，智融SW3537U 双口快充方案评测
珠海智融科技股份有限公司作为一家专注于电源管理芯片领域的数模混合芯片设计企业，深耕于电源管理芯片研发、设计与销售，产品广泛应用于移动电源、车载充电器、氮化镓充电器、户外储能电源及智能插排等设备。在快充技术持续升级的背景下，智融科技依托深厚的技术积累，推出了高性
【ESG动态】MOS HOUSE（01653.HK）获妙盈科技ESG评级B，行业排名第58
妙盈科技公布了新一期（2024年12月31日）的ESG评级结果，MOS HOUSE（01653.HK）获得B评级（妙盈科技评级为D起至AAA共12档，D为最低档，AAA为其最高一档评级），上一期（2024年9月30日）ESG评级为B。本期ESG评级在全球行业分