台积电2nm

台积电2nm吊打对手的武器

鉴于现代设计对 SRAM 的依赖程度,SRAM 单元大小和密度是新制造技术的主要特征。根据 ISSCC 2025 先进计划,英特尔 18A 制造工艺(1.8nm 级)的 SRAM 密度显然远低于台积电的 N2(2nm 级),并且更接近台积电的 N3 。不过,英

台积电 台积电2nm 2nm吊打 2024-12-05 09:52  2