成果｜p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照可靠性研究 半导体产业网获悉：近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公司，在学术期刊IEEE Electron Device Letters发表了一篇名为Experimental Study of Heavy Ion Irradiat 器件 辐照 空穴 hemt hemt器件 2025-05-16 12:10 3