KAUST李晓航研究团队研制出硅衬底上常关型 Ga₂O₃ 功率晶体管 新兴的超宽禁带（UWBG）半导体材料（带隙约 4.9 eV）β-氧化镓（β-Ga2O3）具有极高的临界击穿场强（~8 MV/cm-1）和优异的巴利加优值，使其在（高压）功率电子和射频器件领域展现出巨大潜力。尽管 β-Ga2O3 具有诸多优势，但其固有的低热导率 晶体管 ga 常关 李晓航 李晓航研究 2025-05-20 11:50 5