铠侠CES2025展现存储新纪元：闪存技术如何重塑数字世界？
在2025年CES全球科技盛会上，NAND闪存领域的巨头KIOXIA（铠侠）再次展现了其在存储技术创新领域的领导地位。从消费电子到数据中心，再到人工智能和智能汽车，铠侠通过一系列突破性的产品和技术，揭示了闪存如何在数字优先的时代中重新定义存储的边界。
闪存
全闪存NAS是啥？绿联DXP480TPlus真心值得买吗？
市面上的全闪存NAS型号极为稀少，能看到的只有10款，目前只有威联通企业级的TS-410E、TS-i410X、TBS-h574TX、TS-h3077AFU、群晖企业级的FS6400、FS3600、FS3410、FS2500，再就是绿联的DXP480TPlus，
闪存和内存的区别是什么？
在计算机硬件领域，闪存（Flash Memory）和内存（Memory）是两种至关重要的存储组件。尽管它们都是用于存储数据，但在工作原理、应用场景、性能特性等方面却存在着显著的区别。本文将深入解析闪存与内存的关键差异，帮助读者更好地理解和选择适合自己的存储设备
400层闪存、HBM4、122TB SSD等，成为2025年存储市场牵引力
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）在人工智能、数据中心、新能源汽车、智能终端等应用的带动下，存储新技术新产品加速到来。例如数据中心市场，不仅是高带宽HBM持续进阶，HBM3E到HBM4的演进，企业级SSD也因AI训练和推理所需数据量的增加而不断扩大容量，以至于12
联和存储科技取得在NAND闪存中烧录文件系统的专利
国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司取得一项名为“在NAND闪存中烧录文件系统的方法及电子设备、存储介质”的专利，授权公告号 CN 118069167 B，申请日期为 2024年2月。
三星400层NAND闪存技术领先！2025年或实现大规模量产
近期，科技巨头三星公司在NAND Flash闪存技术领域取得了重大进展，成功研发出400层堆叠的NAND Flash技术，并已着手进行大规模生产。这一消息标志着三星在存储技术领域的又一次飞跃，也预示着NAND Flash市场的竞争格局将迎来新的变化。
三星4XX层NAND闪存技术已开发完成，量产在即？
近期，韩国媒体SEDaily发布了一则关于三星电子的最新研发进展。据悉，三星在其内部研发机构已经成功完成了4XX层第10代3D V-NAND闪存的开发工作。这一技术的研发成果，标志着三星在闪存技术领域又迈出了重要的一步。
华为与长江存储联手推动“武当山计划”，准备反打美日韩闪存企业
在华为mate70系列发布之后，有媒体测试出mate70pro+的闪存读取速度要比同期的产品高出一大截。虽然机型还没有正式发售，但是从数据速度可以看出，这一代产品的闪存相当于是mate40pro系列 SFS1.0 的升级版 SFS2.0 。