北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借低导通损耗、高开关频率等优势，已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用，在消费类电子中获得广泛应用。然而，目前主流的肖特基型p-GaN栅HEMT面临高压开关过程阈 器件 北京大学 阈值电压 gan器件 10a增强型 2025-05-22 20:39 3