带隙半导体

宽带隙半导体，迎来变革

受高效电力电子、电动汽车 (EV)、可再生能源系统和先进通信基础设施需求激增的推动，宽带隙 (WBG) 半导体晶圆制造行业将在 2025 年进入关键阶段。宽带隙材料（主要是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)）能够使器件拥有优于传统硅的电压、温度和频率性能