氧化铝钝化膜

横店东磁申请在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜等相关专利，提高PERC电池的光电转换效率

国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜的方法、PERC电池及其制备方法”的专利，公开号CN120035247A，申请日期为2023年11月。