氮化镓作为第三代半导体的核心材料之一，凭借大禁带宽度、高电子迁移率和良好热导率等诸多优异特性，在功率器件领域正展现出前所未有的巨大应用潜力。特别是在新能源汽车和AI数据中心等前沿领域，氮化镓技术已成为实现电能高效转换的关键突破口。与此同时，超宽禁带功率器件作为

器件 氮化镓 禁带 cspsd2025 超宽禁带 2025-05-27 08:36  4