1500v

1500V：GaN功率器件突破电压极限的关键是什么？

横向GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）目前在中低功率转换应用中呈现出强劲的增长态势。要将这种材料体系拓展到更高电压等级，必须在器件结构设计与衬底技术上进行创新。本文总结了台湾研究团队在开发1500V击穿电压GaN HEMT器件方面的相关研究成果，该器件基于工