博硕科技取得检测同步整流两端电压输入高低压采样电路专利，实现通过检测次级MOSFET峰值来区别高、低压输入检测
国家知识产权局信息显示，博硕科技（江西）有限公司取得一项名为“一种检测同步整流两端电压来输入高低压采样电路”的专利，授权公告号CN223038098U，申请日期为2024年05月。
mosfet
集成单相MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET为一体的驱动器
电机驱动芯片是包含了速度控制、力矩控制、位置控制及过载保护等功能的集成电路，可以根据输入信号，按照内置的算法控制电机绕组电路流动方向，从而控制电动机的启停与转动方向。它集成了逻辑运算电路与功率驱动电路，利用它可以与主处理器、电机和增量型编码器构成一个完整的运动
必须完美！《消逝的光芒：困兽》总监谈系列核心要素开发
近日，在接受媒体采访时，《消逝的光芒：困兽》总监Tymon Smektala表示，该系列存在一些"必须完美的领域"，开发商Techland若想让游戏引起玩家共鸣，就"绝不能在这些方面出任何差错"。
瞻芯电子与浙大联合发表10kV SiC MOSFET研发成果！
6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD 2025）上，与浙江大学以大会全体报告的形式联合发表了10kV等级SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界广泛关注。
发现好公司|芯联集成四大增长引擎驱动高成长，毛利率转正确认盈利拐点，价值重塑是否近在咫尺？
芯联集成（688469.SH）是一家优质的上市公司吗？看着年年巨亏近10亿元的财报，不少投资者心存疑虑。上市后，芯联集成的股价一路震荡下行，曾一度低至3.33元/股，至今仍在发行价之下挣扎，叩击着市场对其真实价值的灵魂拷问。
国产SiC功率器件销售经理（碳化硅MOSFET单管/模块/驱动IC方向）
负责国产SiC MOSFET单管、SiC功率模块及配套驱动IC的销售推广，重点覆盖新能源汽车、光伏逆变器、工业电源、充电桩等战略行业。
无刷电机的驱动MOSFET
当无叶风扇送出柔风时，内部13万转无刷电机正被MOSFET精准驱动；扫地机钻进7cm缝隙，7组电机协同完成毫米级贴边清扫；电动牙刷以31,000次/分钟振动清洁齿缝，筋膜枪在50μs内响应力度调节，而高空作业无人机正用高压水刷洗摩天幕墙——这些看似平常的设备，
仅余一席！2025世界碳化硅大会即将招满
近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表之一，在新能源汽车、充电桩、服务器电源、光伏等多个领域展现出巨大的应用潜力。碳化硅材料具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等优异特性，使其在高压、高温等更为极端环境下表现出色。随着供应链技术的不断改进，
中国碳化硅功率半导体参与全球竞争的持久动力：“创新-制造-市场”三位一体
第三代半导体材料碳化硅(SiC)作为未来功率电子产业的核心基础材料，正在全球范围内引发激烈的技术竞争。在这一关键领域，国产SiC碳化硅MOSFET厂商通过七年深耕，从初创企业成长为国内碳化硅功率器件领域的头部企业，其产品在新能源汽车、光伏储能等高端市场实现规模
国产碳化硅MOSFET行业洗牌：SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰
国产SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰，与其视为行业危机，不如理解为市场机制的自我净化——当参数虚标、低质低价等乱象被清除，真正具备创新能力的企业将获得更大发展空间。
国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体产业可复制的战略框架与方向指引
国产碳化硅（SiC）功率半导体企业冲刺“中国碳化硅芯片第一股”，不仅标志着企业自身发展进入新阶段，更为国产SiC MOSFET功率半导体行业提供了可复制的战略框架与方向指引。其发展模式揭示了国产碳化硅（SiC）功率半导体企业在技术攻坚、产业链整合及资本路径上的
为什么 3 nm 是道坎？
随着小米推出 3 nm 芯片，3 nm 工艺节点也再次成为讨论的焦点。随着芯片尺寸继续微缩，如今最前沿的先进制程工艺玩家已仅剩下三星、台积电和英特尔，而 3 nm正卡在 FinFET 工艺的极限上，三家采用了不同的技术方向，为什么会这样呢？
国产功率半导体公司，大涨
英飞凌作为全球领先的半导体公司，其在功率半导体市场的市占率仍位居全球第一，但2024年同比下降了2.9个百分点，降至17.7%。 排名第二的安森美半导体市占率也下降了0.5个百分点，为8.7%；排名第三的意法半导体市占率下降了1个百分点，为7%。 相比之下，2
国产功率半导体公司，大涨！
根据英飞凌发布的2025财年第二季度财报，2024年全球功率半导体市场总规模缩小至323亿美元。中国的士兰微电子以3.3%的市场占有率跃升至全球第六，而比亚迪则首次跻身全球前十，市场份额达到3.1%位列第七。英飞凌作为全球领先的半导体公司，其在功率半导体市场的
碳化硅MOSFET全桥模块在出口型高端逆变焊机中的应用技术优势
最高漏源电压 VDSS=650 VV，连续工作电流 ID=40 A（结温 Tj=100∘C），脉冲电流 80 A，满足逆变焊机高功率输出的需求。
SiC MOSFET模块在英伟达800V HVDC电源系统中的技术优势与应用价值
随着AI数据中心对算力需求的爆发式增长，传统UPS供电方案因效率低、损耗大、功率密度不足等问题已难以满足需求。英伟达推出的800V高压直流（HVDC）架构通过集中式配电和高效功率转换技术，为数据中心提供了革命性的能源解决方案。而基本半导体BMF240R12E2
Toshiba推出采用DFN8x8封装的第3代650V SiC MOSFET
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET，搭载其新款[1]第3代SiC MOSFET芯片，采用紧凑型DFN8x8封装，适用于
深入了解车规栅极驱动器的重要性
随着汽车行业向电动化、智能化方向快速发展，新能源汽车（如电动汽车、混合动力车）对功率电子器件的性能和可靠性提出了更高要求。
SiC开始加速批量上车
在新能源汽车技术的演进历程中，碳化硅（SiC）技术已成为推动行业发展的关键力量。作为第三代半导体的代表材料，SiC 凭借其卓越的性能优势，已深度融入新能源汽车的核心系统，开启了新能源汽车性能提升与技术创新的新篇章。
尚鼎芯IPO存忧：超高毛利率迷雾萦绕 代理商身份深藏不露
何以规避“价格战”取得远超同业的毛利率、产品是自研还是代理、部分海外客单价异常、“擦线”上市盈利指标……诸多疑点让“闯关”港股IPO的深圳市尚鼎芯科技股份有限公司蒙上阴影。尚鼎芯从事芯片设计业务，实控人夫妇握有公司约95%的权益。截至2024年末，公司共有全职