SiC开始加速批量上车
在新能源汽车技术的演进历程中，碳化硅（SiC）技术已成为推动行业发展的关键力量。作为第三代半导体的代表材料，SiC 凭借其卓越的性能优势，已深度融入新能源汽车的核心系统，开启了新能源汽车性能提升与技术创新的新篇章。
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尚鼎芯IPO存忧：超高毛利率迷雾萦绕 代理商身份深藏不露
何以规避“价格战”取得远超同业的毛利率、产品是自研还是代理、部分海外客单价异常、“擦线”上市盈利指标……诸多疑点让“闯关”港股IPO的深圳市尚鼎芯科技股份有限公司蒙上阴影。尚鼎芯从事芯片设计业务，实控人夫妇握有公司约95%的权益。截至2024年末，公司共有全职
英飞凌推出适用于汽车和工业电力电子的超低RDS（on）CoolSiC™ MOSFET 750 V G2
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威兆进军机器人市场，拆解发现普渡机器人充电器内置威兆MOSFET
最近充电头网拿到了普渡智能机器人的充电器HK240A-CF，这款充电器由知名电源产品制造商航嘉生产，支持100-240V交流输入，输出电压为29.4V，输出电流为8A。该充电器交流输入为品字电源接口，便于根据不同的使用场合更换相应的电源线，输出线长度为1米，配
国产SiC模块企业如何向英飞凌功率模块产品线借鉴和学习
国产碳化硅（SiC）模块在技术性能、成本控制及产业链整合方面已取得显著进展，但面对英飞凌等国际巨头在技术积累、全球化布局和产品生态上的优势，仍需从多个维度学习其经验。
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驱动板：解锁SiC碳化硅功率模块的极限性能
2CD0210T12x0驱动板不仅是SiC MOSFET的“智慧大脑”，更是电力电子系统迈向高效与可靠的核心引擎。从新能源发电到智能工业，从电动汽车到轨道交通，基本半导体以精准驱动与极致安全，助力客户突破SiC应用的性能边界。在“双碳”目标引领下，选择2CD0
集成MOSFET的理想二极管的优势特性及参考选型
本文中，DigiKey介绍了理想二极管技术的优势、应用以及在选择时面临的挑战，并重点介绍了Analog Devices, Inc. (ADI)公司的集成理想二极管解决方案。
Kuhne KU PA 040048-60 HY：UHF MOSFET功率放大器
KuhneKU PA 040048-60 HY 是一款适用于 400-480 MHz 频段的 UHF MOSFET 功率放大器，专为模拟传输系统设计，具备高功率输出和良好信号质量的特点。
MOSFET结构及其工作原理详解
MOSFET的原意是：MOS（Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
多款DrMOS技术助力高效供电，推动AI设备性能飞跃
早于2004年，英特尔率先提出DrMOS技术，以进一步实现降低损耗，实现高效节能。传统供电设计中，上下行MOSFET和驱动IC独立放置，不仅占用大量空间，还会因寄生参数降低转换效率，尤其对高功率需求的CPU和GPU影响严重。DrMOS将驱动器和MOS集成一体，
终端用户去美国化的趋势下国产SiC碳化硅MOSFET行业自立自强的策略分析
在终端用户半导体全面去美国化的趋势下，国产SiC碳化硅MOSFET行业需以产品质量为核心，突破技术壁垒、重构产业链生态、强化标准与认证体系，并摒弃短视投机行为，才能在全球竞争中实现自立自强。结合行业现状与未来方向，具体策略可归纳为以下六大维度：
走进IGBT：揭开它的工作原理及构造
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种三端功率半导体器件，它结合了双极型晶体管（BJT）的输出开关/导电特性和MOSFET的无限输入电阻的优点。无限输入电阻使其成为一种电压控制器件。它广泛应用于高功率应用领域，包括电机驱动、功率转换器、逆变器和放大器。
新股前瞻丨盈利承压仍大手笔分红，尚鼎芯拿什么打动港交所？
在全球贸易格局面临巨大调整的背景下，美国实施“对等关税”对国际商业秩序造成显著冲击，促使全球产业链加速重构。在此背景下，我国企业持续提升自主创新能力，为中国产业链供应链安全与全球竞争力注入新动能。
BMF240R12E2G3成为新一代工商业储能变流器（PCS）首选的SiC MOSFET功率模块
BMF240R12E2G3凭借低损耗、高耐压、强散热、高集成度及完整生态支持，成为工商业储能PCS的理想选择。其通过优化动态特性与热管理，显著提升系统效率、功率密度与可靠性，契合新能源领域对高性能、高稳定性功率模块的核心需求。BMF240R12E2G3成为新一
英飞凌与科士达深入合作，全栈方案树立UPS高效可靠新标杆
2025年4月10日讯,在全球数据中心加速向高效化、集约化转型的背景下，高频中大功率UPS（不间断电源）市场需求持续攀升，对能效、功率密度及可靠性的要求亦日益严苛。 近日，英飞凌宣布与深圳科士达科技股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌1200V CoolSiC
科士达与英飞凌宣布深入合作
英飞凌宣布与深圳科士达科技股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌1200V CoolSiC MOSFET和CoolSiC 二极管、650V CoolSiC MOSFET器件以及EiceDRIVER 系列单通道磁隔离驱动器等全套功率半导体解决方案，助力科士达大功率
华润微，撬动1000亿！
在行业景气度下行的2023年，全球半导体市场规模下挫近10%，而它却能逆势扩张超5%。
中国MOSFET和IGBT制造业的价值链
上游分部：上游分部涉及MOSFET或IGBT生产所需的原材料和基本元件的採购。各类原材料包括硅、掩膜版、光刻胶、电子特气、抛光材料等；制造设备包括单晶炉、刻蚀机、化学气相沉积设备、光刻机、清洗机、测试设备等。
金刚石芯片，首次演示
日本产业技术综合研究所 (AIST) 与本田技术研究院合作，制造了 p 型金刚石 MOSFET 原型，并首次演示了安培级高速开关操作。未来，该公司计划将该技术搭载于下一代移动动力装置中，并进行运行验证，以期在社会中得以实施。
从陈星弼院士无奈卖出超结MOSFET专利到碳化硅功率半导体中国龙崛起
中国功率半导体行业的发展历程是一部从技术引进到自主创新、从受制于人到逐步突破的筚路蓝缕奋斗史。从陈星弼院士的超结MOSFET专利到全国产碳化硅（SiC）技术的崛起，这一历程体现了中国在核心技术攻关、产业链整合及市场应用拓展上的重大跨越。以下从关键阶段、技术突破